IC版图设计-第四章材料.pptx

第四章 电阻; 电阻是集成电路设计中的一个重要组成部分，其在电路设计中的作用主要是限流和分压。对于一个完整的电路，电阻是不可或缺的。 对于集成电路芯片设计来说，电阻的版图设计这个问题就转变为“如何利用在集成电路工艺流程中硅片上已有的各种薄膜材料来实现电阻版图”。; 多晶硅、金属和扩散层都可以作为制作电阻的材料，在集成电路中这些材料被制作成薄层的形式，即厚度t非常小。 对于确定的集成电路工艺，每一层薄膜材料的厚度t是常数，具体值由集成电路工艺决定，与版图设计无关。 电阻率ρ是材料的固有属性，因此对于版图设计者来说，可以控制的只有电阻的长度L和宽度W。; R =ρL/ tW=(ρ/t)(L/W); 薄层导体的电阻R 与L/W成正比，当L=W时，有R=ρ/t。 定义比例系数ρ/t 为方块电阻(用R□表示)，单位为: 欧姆/ □ 。L/W为方块数。 电阻的阻值等于方块电阻乘以方块数。 ;2、方块电阻; R□表示一个正方形材料的薄层电阻,它与正方形边长的大小无关, 只与半导体的掺杂水平和掺杂区的结深（即材料厚度）有关。;3、电阻的分类;3、电阻的分类;4、多晶硅电阻;4、多晶硅电阻;4、多晶硅电阻;4、多晶硅电阻;4、多晶硅电阻;4、多晶硅电阻;4、多晶硅电阻;4、多晶硅电阻;4、多晶硅电阻;5、阱电阻;最外层虚线代表N阱。 由于阱电阻是低掺杂区，所以在其两端需要做重掺杂区作为阱接触，重掺杂区由有源区和N+注入构成。 在重掺杂区内打上接触孔以便使阱电阻和其他电路元件相连接。 绘制N阱电阻的版图时，要保证电阻图形的尺寸至少是阱深的两倍，否则阱将不能达到全部结深。;有源区（P+和N+）可以做电阻和沟道电阻(在两层掺杂区之间的中间掺杂层，例如npn中的p型区)。 沟道有源区电阻在集成电路工艺过程中同时形成的，不需要增加专门的工艺。缺点是电阻率不能灵活变化，受工艺限制。;有源区电阻要考虑衬底（阱）的电位，将P型衬底接最低电位，N型衬底接最高电位，使电阻区和衬底形成的PN结反偏。 例如，P+有源区电阻做在N阱内，除电阻两端有接触孔外，阱内要增加接最高电位的接触孔，以保证PN结反偏。;6、有源区电阻和多晶硅电阻比较 ;7、金属电阻;材料;8、电阻的变化;8、电阻的变化-工艺变化;8、电阻的变化-工艺变化;8、电阻的变化-工艺变化;8、电阻的变化-工艺变化;8、电阻的变化;8、电阻的变化;8、电阻的变化;9、实际电阻分析;9、实际电阻分析;9、实际电阻分析;10、电阻设计依据;10、电阻设计依据; 电流密度: 电流密度指的是：电阻中能安全可靠通过的电流，当电阻通过低于电流密度的电流时，电阻能够长期稳定工作。 较宽的电阻允许通过较大的电流，较窄的电阻只允许通过较小的电流。 集成电路中电阻的电流密度是比较保守的，可靠性系数要达到数万小时。 经验法则：每微米宽度电阻的电流密度为0.5mA。;10、电阻设计依据;11、电阻匹配规则;对于数值较大的电阻，要将其分成较短的电阻单位，平行放置并串联在一起。 需要匹配的电阻应采用同一种材料制成。 在集成电路工艺中可以使用多种材料来制备电阻，但不同材料的温度系数不同，这会导致由不同材料制备的电阻无法随温度的变化而同步变化。 ;需要匹配的电阻应采用相同的宽度 如果两个电阻的宽度不同，那么这两个电阻将会产生系统失配。 需要匹配的电阻应尽量使用相同的电阻图形。 如果电阻的图形不相同，那么角和端部效应的存在将使电阻无法实现精确匹配。 需要匹配的电阻应尽量沿同一方向摆放，并尽可能靠近。 电阻的制备需要用到扩散或离子注入工艺，如果电阻的摆放方向不一致，那么这两项掺杂工艺都会引起电阻的失配，而且这种失配与电阻之间的距离有关，距离越大，失配就越大。 ;11、电阻匹配规则