Li掺杂手扶椅式石墨烯纳米带电子能带和态密度材料.docx

Li掺杂手扶椅式石墨烯纳米带电子能带结构和态密度：第一性原理 摘 要 为了了解Li掺杂对石墨烯纳米带的影响，我们使用基于局域密度相似的密度泛函理论来研究Li掺杂手扶椅式石墨烯纳米带（AGNRs），已经计算出来的有无掺杂AGNRs、H终止AGNRs和Li掺杂AGNRs的电荷密度、电子能带和态密度。我们的研究表明，电荷密度在Li原子和C原子之间传递，但是主要集中在Li原子上。因为单边Li掺杂AGNRs的形成能是最低的，我们可以预测单边Li掺杂AGNRs更贴近实践，同时双边Li掺杂也不是那么稳定。通过对该项目的态密度计算表明，在C-2p、Li-2s和2p电子态之间混的成与非定域化比在导带要更加的强。导致了导带中的费米能级使AGNRs具有了金属的性质。 2013 Elsevier Ltd. All rights reserved. 关键词： 手扶椅式石墨烯纳米带；电子能带；电荷密度和态密度 1 介绍 最近，石墨烯由于它独特的结构和物理性质[1,2]在理论和实践领域都吸引了人们巨大的关注。石墨烯单层蜂窝晶格结构的碳通过sp2 键结合形成的[3]。就像无质量狄拉克费米子，异常量子霍尔效应和高载流子迁移率一样，石墨烯独特的结构和物理性质在包括纳米电子和可再生能源的收获/存储[4]等很多领域都有潜在的价值。而且已经生产出了基于石墨烯的场效应晶体管器和微机械谐振器。 近年来，我们使用机械法或外延生长法[5]合成了各种宽度的石墨烯纳米带（GNRs）。由二维石墨片刻出的石墨片具有准一维结构[6]。GNR的类型包括锯齿边缘型石墨烯纳米带（ZGNRs）和手扶椅式石墨烯纳米带（AGNRs）。AGNRs是非磁性半导体[6]，但是在ZGNRs中，ZGNRs的每个边缘都存在独特的电子态，所以ZGNRs具有磁特性[6]。由于不同边缘的量子化电子态，GNRs显示出了不同于石墨烯的电子特性，而且GNRs的电子特性还由碳带宽度和掺入杂质决定[7,8]。由于悬空键的活性部位[9]使得GNRs适合掺杂。Yu等人[10]使用密度泛函理论研究出了含有一种替代N原子的锯齿边缘碳纳米带。而Chau han等人[11]利用密度泛函原理研究出了Mg、B、S、Ti和Mn掺杂AGNRs的稳定性和电子特性。他们预测，使用过渡金属置换出AGNRs中的杂质是很有利的，而且还可以尽量减小能带间隙。Jaiswal和Srivastava [12]使用第??原理研究出了无掺杂、H终止、Cu终止和Cu掺杂AGNRs的电子特性，还使用基于密度泛函理论的第一性原理研究出了Co掺杂ZGNRs的稳定性和电子特性，发现Co杂质沉淀在了反铁磁表面。 然而，这些理论研究的模型不是通过实验得到的。Liu [14]发现GNRs的表面和边缘附着着纳米氧化锂（Li）。Lee[15]使用第一原则研究了单层石墨烯和多层石墨烯的Li吸附和嵌入，这些研究表明了除非单层石墨烯表面存在缺陷，否则Li在单层石墨烯表面上的吸附是十分稳定的。Rigo[16]等人则使用第一原理计算了Ni吸附ZGNRs电子的传导特性，研究表明沿边缘Ni吸附原子代表了能量最稳定的组态，Li吸附原子可以使半金属石墨烯和半导体石墨烯带成为良好的“金属”。但是到目前为止，Li掺杂AGNRs的不同组态还没有开始研究。 在本文中，我们使用基于密度泛函理论的第一原理计算和研究无掺杂AGNRs、H终止AGNRs和Li掺杂AGNRs的不同组态的电荷密度、电子能带和态密度还有 Li掺杂AGNRs的三种不同组态的稳定性。 2 建模和理论方法 我们使用基于密度泛函理论（DFT）的局域密度近似理论（LDA）来研究无掺杂AGNRs和Li掺杂窄AGNRs的电荷密度，电子能带和态密度。使用交换相关函数和正则守恒赝势的LDA和使用QUAN-TUM ESPRESSO数据包的DFT来计算。为了保持计算精度，平面波切断能量设置为125Ry，电荷密度设置为500Ry，使用网格尺寸为1×1×21的k网格在布里渊区（BZ）进行数值积分。AGNRs的建模是由XCrySDen [19]完成的，以在z方向上的超晶胞建模，x方向和y方向的大小分别设置为6.8 ?和18 ?，已经完全可以避免纳米带之间的相互作用和产生周期性图像。AGNRs的宽度代表了形成纳米带C-C对的数量，AGNRs模型是由7个C原子组成的，所以我们认为它的宽度是7。无掺杂AGNRs的模型如图1所示。无掺杂AGNRs的C-C键长是1.42 ?，边缘C原子由于悬空键的强相互作用使键长减少为1.403 ?，悬空键与每个边缘C原子有关，如图1（a）所示，在一个超晶胞中有4个边缘C原子。H终止AGNRs如图1（b）所示。三种不同组态（单边、中心和双边）的Li原子置换C原子超晶胞Li掺杂AGNRs如图1（c，d，e）所示。这些所有的AGNRs和掺杂A