模拟电子技术(江晓安)(第三版)第4章教程.ppt

第四章 场效应管放大电路;4.1 结型场效应管 ;图4-1 结型场效应管的结构示意图和符号 ;4.1.2 工作原理 ;图 4-2 当UDS=0时UGS对导电沟道的影响示意;　　2. ID与UDS、UGS之间的关系 　　假定栅、源电压|UGS|＜|UP|,如UGS=-1V,而UP=-4V,当漏、源之间加上电压UDS=2V时,沟道中将有电流ID通过。此电 流将沿着沟道的方向产生一个电压降,这样沟道上各点的电位就不同,因而沟道内各点与栅极之间的电位差也就不相等。漏极端与栅极之间的反向电压最高,如UDG=UDS-UGS=2-(-1)=3V,沿着沟道向下逐渐降低,使源极端为最低,如USG=-UGS=1V,两个PN结的阻挡层将出现楔形,使得靠近源极端沟道较宽,而靠近漏极端的沟道较窄，如图4－3(a)所示。此时,若增大UDS,由于沟道电阻增长较慢,所以ID随之增加。当UDS进一步增加到使栅、漏间电压UDG等于UP时,即 ;UDG=UDS-UGS=UP ;图 4-3 UDS对导电沟道和ID的影响 ;4.1.3 特性曲线 1.输出特性曲线 ;图4—4　N沟道结型场效应管的输出特性;　　(1)可变电阻区。可变电阻区位于输出特性曲线的起始部分,图中用阴影线标出。此区的特点是:固定UGS时,ID随UDS增大而线性上升,相当于线性电阻；改变UGS时,特性曲线的斜率变化,即相当于电阻的阻值不同。UGS增大,相应的电阻增大。因而在此区域,场效应管可看做一个受UGS控制的可变电阻,即漏、源电阻RDS=f(UGS)。 　　(2)恒流区。该区的特点是:ID基本不随UDS而变化,仅取决于UGS的值,输出特性曲线趋于水平,故称为恒流区或饱和区。当组成场效应管放大电路时,为防止出现非线性失真,应使工作点设置在此区域内。 ;　　(3)击穿区。位于特性曲线的最右部分,当UDS升高到一定程度时,反向偏置的PN结被击穿,ID将突然增大。由于UGS愈负时,达到雪崩击穿所需的UDS电压愈小,故对应于UGS愈负的特性曲线击穿越早。其击穿电压用BUDS表示,当UGS=0时,其击穿电压用BUDSS表示。 　　(4)截止区。当｜UGS｜≥｜UP｜时,管子的导电沟道处于完全夹断状态,ID=0,场效应管截止。 ;2. 转移特性曲线 ;图4- 5 N沟道结型场效应管的转移特性曲线 ;　　结型场效应管的转移特性在UGS＝0~UP范围内可用下面近似公式表示: ;　　由于在恒流区内,同一UGS下,不同的UDS、ID基本不变,故不同的UDS下的转移特性曲线几乎全部重合,因此可用一条转移特性曲线来表示恒流区中UGS与ID的关系。 　　在结型场效应管中,由于栅极与沟道之间的PN结被反向偏置,所以输入端电流近似为零,其输入电阻可达107Ω以上。当需要更高的输入电阻时,则应采用绝缘栅场效应管。 ;图 4-6 由输出特性画转移特性;4.2 绝缘栅场效应管 ;图 4-7 N沟道增强型MOS场效应管的结构示意图;　　2. 工作原理 　结型场效应管是通过改变UGS来控制PN结的阻挡层的宽窄,从而改变导电沟道的宽度,达到控制漏极电流ID的目的。而绝缘栅场效应管则是利用UGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流ID的目的。 　　对于N沟道增强型的MOS场效应管,当UGS=0时,在漏极和源极的两个N+区之间是P型衬底,因此漏、源之间相当于两个背靠背的PN结。所以,无论漏、源之间加上何种极性的电压,总是不导通的,即ID=0。 ;图 4-8UGS＞UT时形成导电沟道 ;　　3. 特性曲线 　　对于N沟道增强型场效应管,也用输出特性、转移特性表示ID、UGS、UDS之间的关系,如图4－9所示。 ;图4 – 9 N沟道增强型MOS场效应管的特性曲线 ;4.2.2 N沟道耗尽型MOS场效应管 ;图 4-10 N沟道耗尽型MOS管的结构示意图;图 4-11 N沟道耗尽型MOS场效应管的特性曲线 ;图 4-12 MOS场效应管电路符号 ;表4-1 各种场效应管的符号和特性曲线 ;4.3 场效应管的主要参数 ; 2. 夹断电压UP  UP也是耗尽型和结型场效应管的重要参数, 其定义为当UDS一定时,使ID减小到某一个微小电流(如1μA, 50μA)时所需的UGS值。 ; 3. 开启电压UT  UT是增强型场效应管的重要参数, 它的定义是当UDS一定时, 漏极电流ID达到某一数值(例如10μA)时所需加的UGS值。 ?; 4. 直流输入电阻RGS  RGS是栅、源之间所加电压与产生的栅极电流之比。由于栅极几乎不索取电流, 因此输入电阻很高。 结型