微电子器件第八章噪声特性课件.pptVIP

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2017-04-24 发布于湖北
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微电子器件第八章噪声特性课件.ppt

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第八章噪声特性;一、信噪比;噪声系数可看作：单位功率增益下，晶体管噪声功率的放大系数。即晶体管无功率放大作用时，噪声功率增大的倍数，总输出噪声功率与被放大的信号源噪声功率之比。;§8.2 晶体管的噪声源;§8.2 晶体管的噪声源;热噪声等效电路;§8.2 晶体管的噪声源;§8.2 晶体管的噪声源;§8.2 晶体管的噪声源;§8.2 晶体管的噪声源;§8.2 晶体管的噪声源;§8.3 p-n结二极管的噪声;§8.3 p-n结二极管的噪声;1. p-n 结二极管的散粒噪声;二极管低频电导：;于是，p-n结二极管总的噪声电流均方值为;§8.4 双极型晶体管的噪声特性;二、散粒噪声与噪声电流;二、散粒噪声与噪声电流;三、晶体管的噪声频谱特性;*噪声系数与工作条件密切相关;§8.5 JFET与MESFET的噪声特性;§8.5 JFET与MESFET的噪声特性;①栅结势垒区复合中心发射与俘获载流子，引起栅结耗尽层中电荷的起伏，导致???尽层宽度的变化，调制沟道电导，形成漏极噪声电流栅结势垒区的产生-复合过程的起伏产生两种噪声： ——通过调制耗尽层宽度形成漏极噪声电流：1/f噪声（缺陷产生复合中心的产生-复合 ——直接形成栅极噪声电流：散粒噪声（本征的产生-复合） ②沟道区复合中心、沟道区施主或受主中心以及表面态均可能发射与俘获载流子。这些过程的起伏直接造成载流子数目的起伏，产生漏极噪声电流。;§8.5 JFET与MESFET的噪声特性;2、中、高频噪声性能 ①沟道热噪声;2、中、高频噪声性能 ②感应栅噪声;3、噪声系数;§8.5 JFET与MESFET的噪声特性;fT、gms取零栅压时的值，Kf=2.5;§8.5 JFET与MESFET的噪声特性;32;§8.6 MOSFET的噪声特性;沟道中，y0处体元dy的微分电阻dR上热噪声电压;将非饱和区漏导;在饱和区; 可见，Rngm随VDS增加而迅速减小，饱和区最小Rngms，且与衬底杂质浓度密切相关。;§8.6 MOSFET的噪声特性;§8.6 MOSFET的噪声特性;§8.6 MOSFET的噪声特性;本课程内容到此全部结束。