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《半导体器件物理》2008 试卷（A） 标准答案 一、填空题（共 34 分）： 1、 PN 结击穿的机制主要有 雪崩击穿 ， 齐纳击穿 和 热击穿 等三种。 2、当金属与半导体接触时，若二者的接触有整流作用，则叫 整流接触 ， 反之叫 欧姆接触 。 3、MOS 场效应晶体管的二级效应是 非线性 ， 非一维 ， 非平衡 等因素 对 I－V 特性产生的影响，它们包括 非常数迁移率效应 、 短沟道效应 、 窄沟道效应 和 体电荷效应 。 4、双极型晶体管的工作模式有： 正向有源模式 ， 反向有源模式， 饱和模式 和 截止模式 。取决于 发射结 和 集电结 的偏置 状况。 二、简答题（共 18 分） 1．影响 MOSFET 阈值电压的因素。 答案： （1）金属和半导体功函数差；（2）界面陷阱和氧化物电荷 ；（3） 衬底掺杂浓度；（4）氧化层厚度；（5）衬底偏置电压。 2. 解释基区宽度调变效应对共射极晶体管输出特性的影响， 并比较 MOS 场效 应晶体管的沟道长度调制效应对源漏电流-电压的影响。 答案：（1）晶体管达到饱和状态时，当 VCE 从某值开始继续增加，集电极电 流 IC 随 VCE 增加而增加，从而呈现不饱和性的现象，这种现象起因于晶体管的 基区宽度调变效应，也称为 Early 效应。基区宽度调变效应可解释为： a γβ β 2L2 T T n hFE ≡ = ≈ ≈ 2 1? a 1? γβT 1? βT xB -2 电流增益正比于 xB ，当 VCE 增大时，集电结空间电荷区展宽，使得有效基区宽 度 xB 减小，xB 减小使得 hFE 增加，从而使得集电极电流 IC 随 VCE 的增加而增加。 （2） MOSFET 漏－源饱和电流随着沟道长度的减小(由于 VDS 增大，漏端 耗尽区扩展所致)而增大的效应称为沟道长度调变效应。这个效应会使 MOS 场效 应晶体管的输出特性曲线明显发生倾斜，导致它的输出阻抗降低。 3. PN 结少数载流子的电荷贮存效应。 答案：当在 PN 结两端施加一恒定的正向偏压时，载流子被注入并保持在 PN 结二极管中，这种现象称为 PN 结少数载流子的电荷贮存效应。当正向偏压突然 转换至反偏压时，在稳态条件下保持着的载流子并不能立刻消除。 1 三、 分析（共 16 分） 1. 说明 NPN 型晶体管的发大作用的工作原理，给出理想 NPN 型双极型晶体管正 常工作时的各工作电流分量图，并说明各电流的形成及晶体管各端（发射极、 集电极、基极）电流的组成。 答案：NPN 型晶体管的发大作用时，由于发射结正偏，势垒降低 qVE，电 子将从发射区向基区注入，空穴将从基区向发射区注入，基区出现过量电子，发 射区出现过量空穴。当基区宽度很小（远远小于电子的扩散长度）时，从发射区 注入到基区的电子除少部分被复合掉外，其余大部分能到达集电结耗尽区边缘， 集电结处于反向偏压，集电结势垒增加了