第3章半导体器件(修改)讲义.ppt

第3章 半导体器件;3.1 PN结与半导体二极管 3.2 半导体三极管 3.3 场效应晶体管 ;3.1 PN结与半导体二极管;半导体有以下特点： 1．半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间 2．半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化。 3．在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。 ;半导体的共价键结构;1.本征半导体;;2.杂质半导体;（2） P型半导体;无论是P型半导体还是N型半导体都是中性的，对外不显电性。 掺入的杂质元素的浓度越高，多数载流子的数量越多。 少数载流子是热激发而产生的，其数量的多少决定于温度。;半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。在半导体中，如果载流子浓度分布不均匀，因为浓度差，载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种运动称为扩散运动。 ???一块半导体的一侧掺杂成P型半导体，另一侧掺杂成N型半导体，在两种半导体的交界面处将形成一个特殊的薄层→ PN结。; 多子扩散;①外加正向电压（也叫正向偏置即正极接P区、负极接N区） 外加电场与内电场方向相反，内电场削弱，扩散运动大大超过漂移运动，N区电子不断扩散到P区，P区空穴不断扩散到N区，形成较大的正向电流，这时称PN结处于导通状态。;②外加反向电压（也叫反向偏置即正极接N区、负极接P区） 外加电场与内电场方向相同，增强了内电场，多子扩散难以进行，少子在电场作用下形成反向电流，因为是少子漂移运动产生的，反向电流很小，这时称PN结处于截止状态。;一个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来，就构成了半导体二极管，简称二极管。 半导体二极管按其结构不同可分为点接触型和面接触型和平面型三大类 。 点接触型二极管PN结面积很小，结电容很小，多用于高频检波及脉冲数字电路中的开关元件。 面接触型二极管PN结面积大，结电容也小，多用在低频整流电路中。 平面型二极管：往往用于集成电路制造艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 ;（1）正向特性;（1）最大整流电流IOM：指管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。 （2）反向击穿电压UB：指管子反向击穿时的电压值。 （3）最大反向工作电压UDRM：二极管运行时允许承受的最大反向电压（约为UB 的一半）。 （4）最大反向电流IRM：指管子未击穿时的反向电流，其值越小，则管子的单向导电性越好。 （5）最高工作频率fm：主要取决于PN结结电容的大小。;Home;Home;稳压管的主要参数： （1）稳定电压UZ。反向击穿后稳定工作的电压。 （2）稳定电流IZ。工作电压等于稳定电压时的电流。 （3）动态电阻rZ。稳定工作范围内，管子两端电压的变化量与相应电流的变化量之比。即：rZ=ΔUZ/ΔIZ （4）额定功率PZ和最大稳定电流IZM。额定功率PZ是在稳压管允许结温下的最大功率损耗。最大稳定电流IZM是指稳压管允许通过的最大电流。它们之间的关系是： PZ=UZIZM;Home;稳压二极管稳压过程 ;Home;Home;发光二极管;光电二极管;其它二极管;3.2 半导体三极管;NPN型;Home;3.2.2 电流分配和电流放大作用;Home; 实验表明IC比IB大数十至数百倍，因而有。IB虽然很小，但对IC有控制作用，IC随IB的改变而改变，即基极电流较小的变化可以引起集电极电流较大的变化，表明基极电流对集电极具有小量控制大量的作用，这就是三极管的电流放大作用。;3.2.3 三极管的特性曲线;2．输出特性曲线;Home;Home; (ii) 集电极发射极间的穿透电流ICEO ICEO=（1+ ）ICBO ;Home;Home;Home;Home;Home;Home;Home;Home;Home;一、场效应管（以N沟道为例）;栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用;漏-源电压VDS对漏极电流的影响;夹断电压;g-s电压控制d-s的等效电阻;2. 绝缘栅型场效应管;增强型MOS管uDS对iD的影响;耗尽型 MOS管;MOS管的特性; 各种场效应管的特性1、工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性;;VP;Home;Home;Home;Home;Home;Home;本章小结;(a)点接触型 二极管的结构示意图;(b)面接触型 二极管的结构示意图;(c)平面型 二极管的结构示意图;图3.32 结型场效应管的工作原理