第05章场效应管放大电路(康华光)-1讲义.ppt

第五章 场效应管放大电路 重点： 1.掌握场效应管的工作原理、特性曲线； 2.学会判断场效应管的工作状态； 3.掌握场效应管放大电路(特别是结型场效应管 JFET放大电路)的分析方法。;FET分类: ;§5.1 金属-氧化物-半导体场效应管 ——MOS场效应管、绝缘栅场效应管: Metal Oxide Semiconductor FET, 简称MOSFET 一 .增强型N沟道绝缘栅场效应管 1.结构;3.增强型N沟道MOSFET的放大原理 共源极接法的接线：;g;vGS;(2)当vDS变化, 栅源电压vGS =constantVT时;5、特性曲线;ID/mA;6.工作区域的特点及其工作区域判断;(2)可变电阻区(vDS ≤vGS-VT区域) 判断:vDS ≤vGS-VT且vGS VT 特点:rds 是一个受vGS 控制的可变电阻 vGS越大, rds越小。 当VGS 足够大(如:vGS ＝vCC)时 场效应管D~S端相当于: 一个接通的开关。;(3)恒流区(饱和区,相当于BJT放大区) 判断: VDS ≥vGS-VT 且VGS ＞VT 特点: vDS＝vCC -iDRD iD=Kn (vGS-VT )2 可见:若vGS恒定, 则iD恒定 ——恒流源特点 这时场效应管D~S端相当于: 一个受vGS控制的恒流源 ;N型衬底;G;经实验证明: (1)栅极电流ig≈0 (2)当栅源电压vGS变化, 漏源电压vDS =constant0时: vGS ≤VP (夹断电压,VP＜0) :漏极电流iD=0 vGS VP: vGS 越大, iD越大——互导放大作用 (3)当漏源电压VDS变化, 栅源电压vGS =constantVP时: 0 vDS (vGS -VP ) : vDS越大, iD越大 vDS(vGS-VP ):vDS越大,iD恒定,且iD=IDSS(1-vGS/VP )2;4.耗尽型N沟道MOSFET的内部微观原理 (1)当vGS变化, vDS =constant0时 由于制造时已经形成了沟道，所以在vGS=0时,若漏–源之间加上一定的电压vDS,也会有漏极电流 ID 产生。 ;(1)转移特性曲线(iD ?vGS/vDS=constant) 耗尽型的MOS管VGS= 0时就有导电沟道，加反向电压到一定值时才能夹断。;VGS=4V VGS=2V VGS= -2V VGS= -4V VGS= VP;(1)截止区 判断：VGS ＜VP 特点： iD＝0 这时场效应管D 、S端相当于: 一个断开的开关。;(2)可变电阻区 判断： VGS ≥VP , VDS≤vGS-VP 特点:rds 是一个受vGS 控制的可变电阻 vGS越大, rds越小。 当VGS 足够大(如:vGS＝0~vCC)时 场效应管D~S端相当于: 一个接通的开关。;(3)恒流区(饱和区、放大区) 判断: VGS ≥VP , VDS ≥vGS-VP 特点: vDS＝vCC -iDRD iD =IDSS(1-vGS /VP)2 可见： 若vGS恒定, 则iD恒定 ——恒流源特点 这时场效应管D~S端相当于: 一个受vGS控制的恒流源;四.耗尽型P沟道绝缘栅场效应管;耗尽型;——结型和耗尽型MOS管的参数;(2) 低频跨导 gm : ——表示栅源电压对漏极电流的控制能力; 场效应管与晶体管的比较;Rg1;Rg1;3.动态分析 ————求vS 单独作用时Av , ri , ro (1) MOSFET的小信号模型;(2) 带源极电阻共源极放大电路的小信号模型;+ vgs -;当rds≈?时：;(6)输出电阻 求输出电阻的图:;二 . 共漏极放大电路 1.电路;3.动态分析 (1)共漏极放大电路的小信号模型;(2)电压增益Av vo=gmvgs·(rds//R //RL) vi=vgs+ gm vgs ·(rds//R //RL)];(4)输出电阻 求输出电阻的图:;三.耗尽型N沟道场效应管放大电路 1.自给偏压式偏置电路 (1)电路组成;(3)动态分析;已知VDD =20V、RD=3k?、 RS=1k?、 RG=500k?、VP= –4V、IDSS=8mA， 确定静态工作点。;2. 分压式偏置电路;(2)动态分析;3.源极输出器;(2)动态分析;输出电阻 求输出电阻的图:;场效应管放大电路 MOS管部分 结 束;第五章 场效应管放大电路 (JFET部分) 重点： 1.掌握场效应