微电子与集成电路设计2教材.ppt

外延生长 氧化 掺杂 淀积 刻蚀 光刻 钝化 ;集成电路的制造过程：前道工序和后道工序 前道工序：原始晶片到中测，包括： 图形转换技术（光刻、刻蚀等） 薄膜制备技术（外延、氧化、淀积等） 掺杂技术（扩散和离子注入） 后道工序：中测到出厂 ;*;*;;;*;;;良好的化学稳定性和电绝缘性 可作：MOS管的栅氧化层、器件的保护层、绝缘材料、电容器的介质等 对某些杂质起屏蔽作用 可作：选择性扩散掩蔽层 ;除了作为栅的绝缘材料外，二氧化硅在很多制造工序中可以作为保护层。在器件之间的区域，也可以生成一层称为“场氧”（FOX）的厚SiO2 层，使后面的工序可以在其上制作互连线。;在衬底材料上掺入五价磷或三价硼，以改变半导体材料的电性能。掺杂过程是由硅的表面向体内作用的。目前，有两种掺杂方式：扩散和离子注入。;扩散炉与氧化炉基本相同，只是???要掺入的杂质如P或B的源放入炉管内。 扩散分为两步： STEP1 预淀积：将浓度很高的一种杂质元素P或B淀积在硅片表面。 STEP2 推进：在高温、高压下，使硅片表面的杂质扩散到硅片内部。 只要控制预淀积后硅片表面浅层的P原子浓度、扩散温度、扩散时间等三个因素就可以决定扩散深度及浓度。;*;*;离子注入的分布有以下两个特点： 1．离子注入的分布曲线形状（Rp，бp），只与离子的初始能量E0有关。并杂质浓度最大的地方不是在硅的表面，X