MOCVD应用于LED外延的相关技术及工艺.pptxVIP

MOCVD应用于LED外延的相关技术及工艺;LED简介 ;LED外延芯片和外延工艺 ;LED外延片;1、结构特性好，外延材料与衬底的晶体结构相同或相近、晶格常数失配度小、结晶性能好、缺陷密度小????2、界面特性好，有利于外延材料成核且黏附性强????3、化学稳定性好，在外延生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀????4、热学性能好，包括导热性好和热失配度小????5、导电性好，能制成上下结构?6、光学性能好，制作的器件所发出的光被衬底吸收小?7、机械性能好，器件容易加工，包括减薄、抛光和切割等????8、价格低廉。????9、大尺寸，一般要求直径不小于2英吋。????10、容易得到规则形状衬底(除非有其他特殊要求)，与外延设备托盘孔相似的衬底形状才不容易形成不规则涡流，以至于影响外延质量。????11、在不影响外延质量的前提下，衬底的可加工性尽量满足后续芯片和封装加工工艺要求。;MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-1200℃,用射频感应加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方),H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。;MOCVD工作原理图;1.?用来生长化合物晶体的各组份和掺杂剂都可以以气态方式通入反应室中，可以通过控制各种气体的流量来控制外延层的组分，导电类型，载流子浓度，厚度等特性。? 2.?因有抽气装臵，反应室中气体流速快，对于异质外延时，反应气体切换很快，可以得到陡峭的界面。? 3.?外延发生在加热的衬底的表面上，通过监控衬底的温度可以控制反应过程。? ?4.?在一定条件下，外延层的生长速度与金属有机源的供应量成正比。;1.研制大型化的MOCVD设备。为了满足大规模生产的要求，MOCVD设备更大型化。目前一次生产24片2英寸外延片的设备已经有商品出售，??后将会生产更大规模的设备，不过这些设备一般只能生产中低档产品； 2.研制有自己特色的专用MOCVD设备。这些设备一般只能一次生产1片2英寸外延片，但其外延片质量很高。目前高档产品主要由这些设备生产，不过这些设备一般不出售。 ;国产MOCVD设备存在的问题;谢谢观看