1章-半导体器件63页.pptVIP

教育部高职高专规划教材;电子技术基础; 本章在简要介绍半导体材料的特性及导电规律后，重点研究常用半导体器件的组成结构、伏安特性、主要参数和应用方法，为后续学习电子电路建立必要的基础。;第二部分 电子技术基础;主要内容： 重点内容： 难点内容：;1.1 半导体及PN结;（1）热敏性 大部分半导体的导电能力随温度的升高而增强，有些对温度反应敏感。→热敏元件;1.1 半导体及PN结;1.1.2 本征半导体和杂质半导体;1.1.2 本征半导体和杂质半导体;1.1.2 本征半导体和杂质半导体;1.1.2 本征半导体和杂质半导体;1.1 半导体及PN结;1.1.3 PN 结;1.1.3 PN 结;1.1.3 PN 结;1.2 半导体二极管;1.2.1 二极管的基本结构;1.2.1 二极管的基本结构; 半导体二极管的型号;1.2 半导体二极管;正向伏安特性测试电路;反向伏安特性测试电路;1.2 半导体二极管;1.2 半导体二极管;先假设二极管不导通;（a）图中，假设D不导??，以b为参考点，二极管的正极电位为－12V，负极电位为－6V，正向电压为;二极管的正向电压为6V＞0.6V，所以二极管导通， 导通电压为0.6V ，Uab＝－12＋0.6V＝－11.4V，流过电阻的电流;【例1.2.2 】 如图2.1.7所示，已知E＝5V，输入信号为正弦波ui＝10sinωt V，二极管的正向导通电压为0.6V，画出输出电压信号的波形图。 ; 当ui ＜E＋0.6V（导通电压）时，二极管截止，此时二极管无电流通过，uo＝ui;【例1.2.3 】 在图2.1.9所示电路中，已知输入端A的电位VA＝＋3.6V，输入端B的电位VB＝＋0.3V，电阻R＝10 k? ，电源E＝－9V，二极管的导通电压为0.2V，求输出端F的电位和流过R的电流I。 ;;1.2 半导体二极管;3、动态电阻rZ： 稳压管动态电阻越小，反向伏安特性曲线越陡，稳压性能越好。;1.2 半导体二极管;1.2 半导体二极管;1.3 半导体三极管;1.3 半导体三极管;NPN型三极管和PNP型三极管的电路符号。箭头表示发射结正向导通时电流的方向。;1.3 半导体三极管;1.3.2 电流分配与放大作用 ;1.3 半导体三极管;1.3.3 半导体三极管的特性曲线;1.3.3 半导体三极管的特性曲线;1.3.3 半导体三极管的特性曲线;1.3.3 半导体三极管的特性曲线;1.3.3 半导体三极管的特性曲线;1.3 半导体三极管;1.3 半导体三极管;1.3 半导体三极管;1.3.4 半导体三极管的主要参数;1.3.4 半导体三极管的主要参数;1.3.4 半导体三极管的主要参数;1.4 场效应晶体管;1.4 场效应晶体管;1.4.1 N沟道增强型绝缘栅场效应管;1.4.1 N沟道增强型绝缘栅场效应管;1.4.1 N沟道增强型绝缘栅场效应管;1.4.1 N沟道增强型绝缘栅场效应管;1.4.1 N沟道增强型绝缘栅场效应管;1.4 场效应晶体管;1.4.1 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管;1.4 场效应晶体管