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能谱的测量与物质吸收系数μ的测定

射线能谱的测量与物质吸收系数μ的测定 [摘要]:测量137Cs或60Co的全能谱,测量137Cs或60Co的γ射线在一组吸收片(铅、铝)中的吸收曲线,并求线性吸收系数。 [关键词]:全能谱 γ射线 吸收系数 [正文]:核辐射与某些物质相互作用会使其电离、激发而发射荧光,闪烁探测器就是利用这一特性来工作的。当核辐射的能量全部耗尽在闪烁体内时,探测器输出脉冲幅度与入射粒子能量成正比,因此可以根据对脉冲幅度谱的分析来测定核粒子的能谱。 闪烁探测器的工作可分为五个相互联系的过程: 射线进入闪烁体,与之发生相互作用,闪烁体吸收带电粒子能量而使原子、分子电离和激发; 受激原子、分子退激时发射荧光光子; 利用反射物和光导将闪烁光子尽可能多地收集到光电倍增管的光阴极上,由于光电效应,光子在光阴极上击出光电子; 光电子在光电倍增管中倍增,数量由一个增加到104~109个,电子流在阳极负载上产生电信号; 此信号由电子仪器记录和分析。 窄束γ射线在穿过物质时,由于光电、康普顿、电子对效应,其强度就会减弱,通过这三种过程,γ射线损失能量,每发生一次相互作用,原来能量为hν的光子消失, 或散射后能量和方向的发生改变, 发生相互作用的光子就从原来γ束中移去。γ射线通过物质时, 是强度逐渐减弱的过程,而能量保持不变。γ射线强度随物质厚度的衰减服从指数规律,即 (1) 其中,I0、I分别是穿过物质前、后的γ射线强度,x是γ射线穿过的物质的厚度(单位cm),σr是光电、康普顿、电子对三种效应截面之和,N是吸收物质单位体积中的原子数,μ是物质的线性吸收系数(μ=σrN,单位为cm)。实际工作中常用质量厚度Rm(g/cm2)来表示吸收体厚度,以消除密度的影响。因此(1)式可表达为 (2) 由于在相同的实验条件下,某一时刻的计数率N总与该时刻的?射线强度I成正比,又对(2)式取对数得: (3) 由此可见,如果将吸收曲线在半对数坐标纸上作图,将得出一条直线,如右图所示。可以从这条直线的斜率求出,即 (4) 实验器材 ①γ放射源137Cs和60Co(强度≈1.5微居里);②200?mAl窗NaI(Tl)闪烁探头;③高压电源、放大器、多道脉冲幅度分析器;④Pb、Al吸收片各4片。 在γ源的源强约2微居里的情况下,由于专门设计了源准直孔(φ3?12mm),基本达到使γ射线垂直出射;而由于探测器前有留有一狭缝的挡板,更主要由于用多道脉冲分析器测γ能谱,就可起到去除γ射线与吸收片产生康普顿散射影响的作用。 实验步骤 全能峰测量: 开机预热后,选择合适的工作电压使探头的分辨率和线性都较好。 把γ放射源137Cs或60Co放在探测器前,调节高压和放大倍数,使60Co能谱的最大脉冲幅度尽量大而又不超过多道脉冲分析器的分析范围。 分别测137Cs和60Co的全能谱并分析谱形。利用处理软件对所测得的谱形进行数据处理,分别进行寻峰、半宽度记录、峰面积计算、能量刻度等工作并求出各光电峰的能量分辨率。 物质吸收系数μ的测定: 调整实验装置,使放射源137Cs、准直孔、闪烁探测器的中心位于一条直线上。 在闪烁探测器和放射源之间依次加上4片已知质量厚度的吸收片。 计录光电峰净面积,这样求出的Ai就对应公式中的Ii、Ni。 分别用作图法和最小二乘法计算吸收片材料的质量吸收系数。 依照上述步骤测量其他金属对137Cs的γ射线的质量吸收系数。 实验数据 电压U=860V 放大倍数0.3 吸收物质质量厚度 (g/cm2)计数道数 (chn)峰位 (chn)半高宽 (chn)净面积不加载01132157157.2615.3317427 铝2.40963157157.4915.70143582.42890157157.1814.62123022.43671157156.7116.1598362.44587157156.9714.867883 铅2.08933157157.0015.74139992.10820157156.7415.55113892.10628157156.5914.8783332.08522157156.3915.086968数据处理 铝密度=2.70 g/cm2 平均得 铅密度=11.34 g/cm2 平均得 实验结论 在做物质吸收系数μ的测定时,不可改变探测器与放射源的距离,使铝片和铅片在同一条件下进行吸收。本实验最后所得的线性吸收系数与理论值大体相近

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