功率半导体器件鸟瞰.docVIP

当代功率半导体器件大致可以分成三类：一是传统的各类晶闸管；二是近二十年来发展起来的功率MOSFET及其相关器件；三是由上述两类器件发展起来的特大功率器件。本文将重点讨论以功率MOSFET为主体的现代功率半导体器件，同时也将对比各种传统的功率器件，探讨相互间的联系及其对电力电子技术发展的影响。 功率半导体器件的历史可以追溯到早期的半导体整流器件，甚至远溯到上一世纪四十年代的氧化亚铜和硒整流器。但促使一门新学科——电力电子学诞生的却应归功于晶闸管（Thyristor）这个大家族，特别是具有较强逆变能力的快速和可关断晶闸管以及大功率双极性晶体管。因为电力电子技术是一门关于功率变换的技术。只有当逆变用器件有一定的发展后，才能形成一门专门的学科。 现在再来回顾一下二十多年前电力电子学刚形成时的功率半导体器件，其变化之巨大简直是难以想象的。许多功率半导体器件已经离开历史舞台。而最大的变化是：功率MOSFET从1979年诞生后，逐步改 变了整个功率半导体器件的面貌，从而使电力电子学的范围跨入了过去未曾涉足的信息领域。 1晶闸管及整流器件 上世纪六十到七十年代是晶闸管统治功率器件的全盛时代，到了八十年代，晶闸管的发展已完全成熟。而九十年代，作为中小功率用的逆变器件，逐步让位于MOSFET或IGBT。在许多传统的相控整流领域，开始逐步被开关整流所取代。但在特大功率范畴，双极性器件仍明显占主导地位。 为对比MOS器件的发展，现在来回忆一下晶闸管在技术方面的发展过程。可以看到，对器件的理解和要求是一个从静态到动态性能逐步认识和改善的过程。 （1）提高发射极注入效率及控制少子寿命，使晶闸管的电流容量有了迅速提高。双极性器件的大注入效应使其在取得大电流能力方面，显然优于单极型器件。这也是其后IGBT发展的基础。IGBT中的B字，即代表双极性的意思。 （2）改善表面造型及表面保护，使器件有较高的耐压和更好的可靠性。当时已有平面型的保护环技术（后来称为终端技术），但在高压领域内当时并未采用。其后采用了特殊辐照掺杂的区熔硅单晶，使高压器件有了更好的成品率。IGBT在第三到第???代的转变中，也采用了区熔硅单晶。 （3）引入短路发射极原理，使发射极下基区的电阻（简称横向电阻）为最小。以限制发射极在位移电流作用下产主注入，从而提高了器件的电压上升率（dv／dt）。这个原理也被MOSFET用来抑制寄生双极性晶体管起作用。 （4）引入放大门极原理，或称场引入原理。即以阳极电场引入门极周围，以迫使导通区扩展，从而改善器件的电流上升率（di／dt） （5）发展快速晶闸管（InverterSCR）以取得较高 的频率并用于逆变电路。在制造工艺上采用了降低少子寿命的方法，以降低关断时间（tq），从而降低开关损耗。同时也利用上述第（3）、（4）原理，以更好的动态特性来符合快速开关要求。有趣的是降低少子寿命的方法以后甚至用在不牵涉少子的多子型器件中，这是因为必须控制寄生的本征二极管的关断特性。 （6）发展更为“安全”使用的晶闸管。换言之，使器件能经受一定的电压电流尖刺，成为更可靠的晶闸管。如近年来发展的SAFEIR。 （7）发展双向晶闸管（Triac）以更适合于中小功率的交流电路。各类双向器件的设想是根据应用的需要而产生的，但真正实现的恐怕只剩下Triac。这也许是因为制造双向器件增加了复杂性，却又可以用单向器件去代替它。从技术而言，是更好地控制各个发射极下的基区电阻。利用横向电阻使器件具有四象限的导通能力。这和提高电压上升率的措施刚好相反。 （8）发展可关断晶闸管（GTO）以使晶闸管成为可用门极自关断的器件。从技术而言，是将晶闸管内的两个晶体管的增益做得尽可能小。即降低注入效率（薄发射极或逆导）和降低少子寿命。从而使其易于关断。中小功率的利用PNPN原理的可关断器件始终未能占领市场，这可能是因为当“闸门”打开后，要切断并不如一般的晶体管这么容易或是在制造成本上并不合算。 （9）发展塑封包装或模块，使器件进一步减小体积。甚至包括表面贴装型的塑封晶闸管（SMALLIR）。为此，方片晶闸管有很大发展。也有采用平面型场终端技术来代替传统的挖槽加玻璃钝化技术。 （10）整流器件是始终不会衰退的器件。只是它们的性能在不断改进。如近年来仍在不断发展的快恢复二极管和快恢复外延二极管（QUIETIR）。主要是希望做到恢复又快又软，少起振荡。 2MOSFET及其相关器件 上世纪八十年代是MOS器件和晶闸管并行发展的年代。到了九十年代MOS器件迅速占领了相当大部分的中小功率器件市场，尤其是在逆变领域。 早期的MOS器件发展，多少沿用了传统功率半导体器件的发展思路。例如曾采用金属外壳并发展了多种大电流MOSFET模块。但其后MOSFET的发展就大大不同于传统器件