再结晶及晶粒长大.pptVIP

第三节 再结晶和晶粒长大 ; 一、初次再结晶 ;图19 在400℃受400g/mm2应力作用的NaCl晶体，置于470℃再结晶的情况 ;一般储存在变形基质中的能量约为0.5～1Cal／g的数量级，虽然数值较熔融热小得多(熔融热是此值的1000倍甚至更多倍)，但却足够提供晶界移动和晶粒长大所需的能量。; 初次再结晶也包括两个步骤：成核和长大。晶粒长大 通常需要一个诱导期，它相当于不稳定的核胚长大成稳 定晶核所需要的时间。 ;图20 烧结温度对AlN晶粒尺寸的影响; 二、晶粒长大 ;小晶粒生长为大晶粒．使界面面积减小，界面自由能降低，晶粒尺寸由1μm变化到lcm，相应的能量变化为0.1-5Cal/g。 ;图21 晶界结构及原子位能图 ;晶粒长大动力学;晶界移动速度u ;图22 Ba0.8Sr0.2TiO3陶瓷的SEM 照片 ;图23 烧结后期晶粒长大示意图 ;对任意一个晶粒，每条边的曲率半径与晶粒直径D成比例，所以由晶界过剩自由焓引起的晶界移动速度和相应的晶粒长大速度与晶粒尺寸成反比 ; ; ;推动力; 二次再结晶发生后，气孔进人晶粒内部，成为孤立闭气孔，不易排除，使烧结速率降低甚至停止。因为小气孔中气体的压力大，它可能迁移扩散到低气压的大气孔中去，使晶界上的气孔随晶粒长大而变大。;图24 由于晶粒长大使气孔扩大示意图;图25 BeO在2000℃下经2.5小时二次再结晶后的相对晶粒长大 ;产生原因;二次再结晶出现后．对材料性能的影响： 由于个别晶粒异常长大．使气孔不能排除，坯体不再致密，加之大晶粒的晶界上有应力存在，使其内部易出现隐裂纹，继续烧结时坯体易膨胀而开裂，使烧结体的机械、电学性能下降。 工艺上的措施： 工艺上常采用引入适当的添加剂，以减缓晶界的移动速度，使气孔及时沿晶界排除，从而防止或延缓二次再结晶的发生。 ;但是，并不是在任何情况下二次再结晶过程都是有害的。 在现代新材料的开发中常利用二次再结过程来生产一些特种材料。如铁氧体硬磁材料BaFel2019的烧结中，控制大晶粒为二次再结晶的晶核，利用二次再结晶形成择优取向，使磁磷畴取向一致，从而得到高磁导率的硬磁材料。