太阳能材料简介.pptxVIP

太阳能电池简介;1883年，有人在半导体硒和金属接触处发现了固体光伏效应。以后人们把能够产生光生伏打效应的器件称为光伏器件，半导体PN结，在太阳光照射下效率最高，这类器件通常称为太阳能器件。(Solar cell) 1954年，恰宾(Charbin)等人在美国贝尔电话实验室第一次做出了光电转化效率6%的实用单晶硅太阳能电池。;太阳能电池的物理基础;本征半导体特征;本征激发;杂质半导体特征;P型半导体特征----载流子为空穴,杂质原子为受主原子;电子扩散方向;PN结动态平衡;1. 基本原理;电子空穴对位于：耗尽区，N区和P区;N区;光生伏打效应;P;影响光电流的因素;太阳能电池的光学性质;;单晶硅太阳能电池: 理论上限为27% 目前的最大值：24%左右 GaAs太阳能电池：理论上限为28.5% 目前最大值为：24.7%;2). 辐照效应：太阳能电池受高能离子的辐射，体内产生缺陷，形成一个复合中心。;3). 材料的能带宽度：开路电压Uoc随能带宽度Eg的增大而增大，另一方面，短路电流密度Isc随Eg的增大而减小， 因此期望在某一个确定的Eg下出现太阳能效率的峰值! 一般而言Eg介于1.2-1.6 eV的材料做成的太阳能电池，可望 达到最高效率。;5). 掺杂浓度：参杂浓度越高，Uoc越高，但过高的参杂会引起带宽的的变小，少子寿命下降等高参杂效应。