模拟电路及技术基础—3—场效应晶体管及其基本电路.ppt

模拟电子技术基础;;N;N;P;二、工作原理（以P沟道为例）;P;P;P;P;;;三、特性曲线;予夹断曲线;N沟道结型场效应管的特性曲线;输出特性曲线; 结型场效应管的缺点：;一、结构和电路符号;N 沟道耗尽型;N;P 沟道耗尽型;二、MOS管的工作原理;P;UGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。;P;P;三、增强型N沟道MOS管的特性曲线;输出特性曲线;uDS;四、耗尽型N沟道MOS管的特性曲线;输出特性曲线; 双极型晶体管 场效应晶体管 结构 NPN型 结型 N沟道 P沟道 PNP型 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 C、E不可倒置 D、S一般可倒置 载流子 多子扩散、少子漂移 多子漂移 输入量 电流 电压 控制 电流控制型(β) 电压控制型(gm) 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成;§3.3 场效应管参数和小信号模型; 二、极限参数;D;2. 输出电阻rds ;3.3.2 场效应管的中频小信号模型;很大， 可忽略。;§3.4 场效应管放大电路;3.4.1 场效应管的共源极放大电路;uo;s;3.4.2 源极输出器;uo;Ri;输出电阻 Ro;场效应管放大电路小结;;第三章 结束;