模拟集成电路基础三—5.ppt

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模拟集成电路基础三—5

第5章 放大电路的频率响应;5.1 频率响应的基本概念;PN结电容; 扩散电容是由多子扩散后,在PN结的另一侧面积累而形成的。因PN结正偏时,由N区扩散到P区的电子,与外电源提供的空穴相复合,形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在 P 区内紧靠PN结的附近,形成一定的多子浓度梯度分布曲线。;-180°;-180°;幅度频率失真:幅频特性偏离中频值的现象 相位频率失真:相频特性偏离中频值的现象;? 产生频率失真的原因 (1)放大电路中存在电抗性元件 例如:耦合电容、旁路电容、分布电容、变压器、分布电感等。 影响低频增益—主要是耦合电容和旁路电容 影响高频增益—晶体管的结电容及引线等杂散电容 (2)三极管的?(?)是频率的函数 在研究频率特性时,三极管的低频小信号模型不再适用,而要采用高频小信号模型。;? 线性系统的分析:;? 传输函数的计算;?频率响应的波特图;幅频特性:;(1) 一阶零点 幅频特性的渐近线; ?;; ?;0.1 ?1;0.1 ?1;0.1;例1:;20lg|A(j?)|(dB);例2:;20lg|A(j?)|(dB); ; ;? 晶体三极管高频物理模型-混合?模型(续); ? 密勒原理;; β0:β0 即低频时的β,反映了三极管的放大作用。;;高频截频;? 特征频率fT;5.4 单管共射放大电路的频率响应;1. 中频电压增益;2.高频增益和极点;高频增益函数;极点:;;高频增益函数;; 只有n个高频极点,高频截频可近似为最小的高频极点. 也可用公式计算:; 零点和极点的个数相同,低频截频可近似为最大的低频极点。也可用近似公式计算。;频响分析;;例题:CE电路参数如下:;1.放大电路的耦合电容和旁路电容引起是引起低频响应的主要原因;;单管共基放大电路的高频等效电路;上限频率; 如果放大器由多级级联而成,那么,总增益;一、多级放大器的上限频率fH 设单级放大器的增益表达式为;令;二、多级放大器的下限频率fL 设单级放大器的低频增益为 ; 解得多级放大器的下限角频率近似式为 ;小 结

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