新型半导体物理分章答案第三章.pptVIP

§3 半导体中载流子的统计分布;§3.1 状态密度 Density of States; k空间上k取值点密度： 根据周期性边界条件，k空间中电子的每个k的代表点（ kx，ky，kz ）由整数组（nx，ny，nz）决定。 由此，可知k取值点密度为V。则电子在k空间中的量子态密度是2×V。;假设导带底在k=0处，且;则， 其中 若导带底有s个能谷， 可设 这里s(Si)=6, s(Ge)=4 mdn被称为导带底电子态密度有效质量。;Si、Ge价带顶状态密度： gV(E)与上页gC(E)具有相同的形式。 但，;§3.2 费米能级和载流子统计分布 Fermi-Level and Distribution of Carriers;当EEF时，fF(E)=0;当EEF时，fF(E)=1。;波耳兹曼分布函数为： 当E-EFk0T时， 所以， 此时可将费米分布简化成波耳兹蔓分布。 ;3、空穴的分布函数;4、非简并情况下，导带中的电子浓度 和价带中的空穴浓度;单位体积的电子数 n0和空穴数p0; 导带底有效状态密度;§3.3 本征半导体的载流子浓度 Carriers Density of Intrinsic Semiconductors;;本征载流子浓度和样品温度的关系;§3.4 杂质