新型半导体物理基础4.pptVIP

四、半导体的光学性质;1、光吸收;; ?物理意义是： ?相当于某波长的光在媒质中传播1/ ?距离时能量减弱到原来能量的1/e。一般用吸收系数的倒数1/ ?来表征该波长的光在材料中的透入深度。; 前面已经介绍过，光在导电媒质中传播时具有衰减现象，即产生光的吸收。半导体材料能强烈地吸收光能，具有105cm-1的吸收系数。;本征吸收;显然，要发生本征吸收，光子能量必须等于或大于半导体的禁带宽度，即 h? ? h?0 = Eg;Photons with energy greater than the band gap may be absorbed to create free electrons. Photons with energy less than the band gap pass through the material or create heat. ;上图是Ge、Si、GaAs的本征吸收系数和光子能量的关系。;其他吸收过程;;2、半导体的光电导; 实验发现，在电场强度不太大的情况下，半导体中的载流子在电场作用下的运动仍遵循欧姆定律。但是，半导体中存在两种载流子，即带正电的空穴和带负电的电子，而且载流子浓度又随着温度和掺杂的不同而不同，所以，它的导电机构要比导体复杂些。; 根据上述分析，在半导体中总电流密度应该是