第三章光器件修改.pptVIP

;;;;;; 光子的概念 ? 1905年爱因斯坦提出光量子学说，认为光是由能量为hf的光量子组成。其中，h=6.626×10-34 J·S，称为普朗克常数，f为光的频率。 ? 光量子一般简称为光子。不同频率的光子具有不同的能量。携带信息的光波，所具有的能量是hf的整数倍。当光与物质相互作用时，光子的能量作为一个整体被吸收或发射。 ;; 半导体的能带分布 半导体具有晶体结构。晶体的主要特征是它们的内部原子有规则地周期性排列，各原子的电子轨道相互重叠，使半导体离散的能级组成具有一定宽度的带，称为能带。;;;; 处于高能级E2上的电子当受到外来光子的激发而跃迁到低能级E1上时，辐射出一个能量为hf的光子。由于此过程是在外来光子的激发下产生的，故称为受激辐射。 受激辐射特点： ? 外来光子的能量等于跃迁的能级之差， 。 ? ???激辐射出来的光子与外来光子不仅频率相同，而且相位、偏振方向、传播方向均相同，属于 相干光，也称为全同光子。 ? 受激辐射过程中所发射出来的光 子与外来光子叠加，结果使光能增强， 入射光得到放大。故受激辐射是产生光 放大的前提。;;; 受激吸收 在外来光子的激发下，低能级上的电子吸收外来光子的能量，而跃迁到高能级上，称为受激吸收。 受激吸收的特点： ? 受激吸收不是自发的，必须是在外来光子的激发下才会产生，因此是受激跃迁。 ? 外来光子的能量等于电子跃迁的能级之差，即外来光子的能量 。 ? 受激跃迁的过程中，不是放出 能量，而是消耗外来光能，将光能转 换为电能。;;;; 费米能级，它是反映电子在各能级中分布情况的一个参数。对于本征半导体，当温度较低时，费米能级处于禁带中心。对于掺杂半导体，随着掺杂的不同，费米能级的位置也不相同。;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;; 半导体激光器的发射波长取决于禁带宽度Eg(eV)，由式(3.1)得到 h f =Eg;;;;; 在直接光强调制下， 激光器输出光功率P和调制频率f 的关系为 ;图 3.11 半导体激光器的直接调制频率特性 ;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;; 发光二极管没有谐振腔进行频率选择，故其发射光谱就是半导体材料导带和价带的自发辐射谱线。因为导带和价带都包含有许多能级，使得复合发光的光子能量有一个较宽的能量范围，造成自发辐射谱线较宽。一般短波长GaAlAs―GaAs发光二极管的谱线宽度约为30~50nm，长波长InGaAsP―InP发光二极管的谱线宽度约为60~120nm。 ;;图 3.17 发光二极管(LED)的频率响应 ;LED与LD的性能和应用 1 .性能比较 发光二极管和激光器是目前光纤通信系统中最常用的两种半导体光源，它们既有许多类同点，也有许多不同之处。表3-2列出了二者的主要性能比较。;2. 主要差别 （1） 发光原理不同 发光二极管是自发辐射，发出的光频率不同，方向不同，光谱范围较宽。激光器是受激辐射，发出的光颜色纯，方向性好，光谱范围窄。 （2） 光的性质不同 发光二极管发出的光是非相干光，为荧光。激光器发出的光是相干光，为激光。 （3）适用范围不同 发光二极管适用于低速率，短距离的通信系统中。激光器适用于高速率，长距离的通信系统中。; 3.半导体光源的应用 LED通常和多模光纤耦合，用于1.3 μm(或0.85 μm)波长的小容量短距离系统。因为LED发光面积和光束辐射角较大， 而多模SIF光纤或G.651规范的多模GIF光纤具有较大的芯径和数值孔径，有利于提高耦合效率，增加入纤功率。 LD通常和G.652或G.653规范的单模光纤耦合，用于1.3 μm或1.55 μm大容量长距离系统。 分布反馈激光器(DFB - LD)主要和G.653或G.654规范的单模光纤或特殊设计的单模光纤耦合，用于超大容量的新型光纤系统。 ;;;;;;;;;——光电转换效率;——光电转换效率; 光电流IP与光入射表面的反射率、表面层厚度、耗尽层宽度等有关。其关系式为 式中，r 为光入射表面的反射率， w1为零电场的表面层厚度， w 为耗尽层宽度，α为材料的吸收系数，它是波长的函数。 ★