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硅片相关知识简介 硅片相关知识简介（制 造工艺、用途） 公司设备简介 公司产品简介及主要用 途说明 一、硅片相关知识简介（制造工艺、用途） 固体材料 半导体材料概论 名词解释 硅单晶制备 硅片制造 固体材料 原子排列的方式称为固体的结构。 固体材料分为三大类：晶体、非晶体和准晶体。 理想晶体中原子排列是十分有规则的，主要体现是原子排列 具有周期性，或者称为是长程有序的。 晶体：Cu、Ag、Ge、Si、金属、C 非晶体：玻璃、石蜡、沥青、塑料等，内部原子的排列则是 杂乱无章、长程无序的。 准晶体是最近发现的一类新物质，其内部原子排列既不同于 晶体，也不同于非晶体。 半导体材料概论 物质就其导电性质来说，可分为绝缘体，半导体和导体。电 阻率大于1010欧姆?厘米者为绝缘体，小于10-3欧姆?厘米者为导体 电阻率介于10-3---1010欧姆?厘米的称为半导体。半导体材料电阻 率不同于导体和绝缘体外，它还具有在光和热的作用下，能使电 子激发，从而使导电性显著增加的热敏性，光敏性以及对杂质的 敏感性等特点。 半导体材料分为：1、元素半导体：如硅，锗，硒等；2、二 元化合物半导体：如GaAs(主要用于制作超高速电路，微波器件 等)，InSb（主要用于制作红外器件）,PbS（主要用于制作热敏 器件），β-SiC(主要用于制作发光管) ；3、三元化合物半导体： 如GaAsAl(主要用于制作发光管)；4、固容体半导体：如GaAs- GaP(主要用于制作发光二极管)。固容体半导体是元素半导体或 无机化合物半导体相互溶解而成的半导体材料。 Si的介绍 元素符号Si，原子序数14，原子量28.086，位于第三周 期第ⅣA族，共价半径117皮米，离子半径42皮米。有晶体和 无定形两种同素异形体。晶体硅呈银灰色，有明显的金属光 泽、晶格和金刚石相同，硬而脆，能导电，但导电率不如金 属且随温度的升高而增加，属半导体。密度2.33克/厘米3，熔 点1420℃，沸点2355℃，硬度7。低温时单质硅不活泼，不 跟空气、水和酸反应。室温下表面被氧化形成1000皮米二氧 化硅保护膜。高温时能跟所有卤素反应，生成四卤化硅，跟 氧气在700℃以上时燃烧生成二氧化硅。跟氯化氢气在500℃ 时反应，生成三氯氢硅SiHCl3和氢气。高温下能跟某些金属 (镁、钙、铁、铂等)反应，生成硅化物。 硅片厚度：硅片正反面中心点的垂直距离为硅片的厚度， 以δ 来表示。表示厚度的常用单位是um，1mm= 10 3um。 名词解释 1晶体缺陷：原子偏离理想晶格中有规则的排列，这种偏离， 严重影响晶体的力学、电学和其他特性。 2晶体缺陷种类：点缺陷、 线缺陷、 面缺陷、 体缺陷 3线缺陷又叫位错，有两种基本类型，刃型位错、螺型位错， 实际晶体中的位错既不是单纯的螺位错，也不是刃型位错， 是他们的混合形式，故称之为混合位错。 同一晶体中不同平面上符号相 刃型位错模型 反的两根刃位错的二维模型 位错的检测方法 腐蚀坑法 <111>晶面上的位错腐蚀坑呈现三 角形，<100>晶面上的位错腐蚀坑 呈四方形。 螺型位错模型 4本征半导体：晶格完整且不含杂质的单晶半导体，其中参与 导电的电子和空穴数目相等。 5载流子：固体中一种能传输电荷的载体，又称荷电载流子。 例如：半导体中的导电空穴和导电电子。 6载流子浓度：单位体积的载流子数目。 7多数载流子：大于载流子总浓度一半的那类载流子。例如：p 型半导体中的空穴。 8少数载流子：小于载流子总浓度一半的那类载流子。例如：p 型半导体中的电子。 9N型半导体：多数载流子为电子的半导体。 P型半导体：多数载流子为空穴的半导体。 10我们公司用X射线衍射定向法测定晶向。在粘接时主 要用到的设备是定向仪、粘接仪、复检仪。 11解理面：晶体受到机械力作用时，沿晶体结构所确 定的某一晶面劈裂，这种劈裂面称为解理面。 12总厚度变化（TTV）：在厚度扫描或一系列点的厚 度测量中，所测晶片的最大厚度与最小厚度的绝对差值。 13中心面：与晶片的正面和背面等距离的点的轨迹。 14弯曲度(Bow)：晶片中心面凹凸形变的一种度量， 它与晶片可能存在的任何厚度变化无关。弯曲度是晶片 的一种体性质而不是表面特性。 15翘曲度(Warp)：