电容非理想特浅性析.pptVIP

电容非理想特性浅析;内容简介;认识电容;电容的分类;铝电解电容器： 它是由铝圆筒做负极、里面装有液体电解质，插人一片弯曲的铝带做正极制成。还需经直流电压处理，做正极的片上形成一层氧化膜做介质。其特点是容量大、但是漏电大、稳定性差、有正负极性，适于电源滤波或低频电路中，使用时，正、负极不要接反。;钽铌电解电容器： 它用金属钽或者铌做正极，用稀硫酸等配液做负极，用钽或铌表面生成的氧化膜做介质制成。其特点是：体积小、容量大、性能稳定、寿命长。绝缘电阻大。温度性能好，用在要求较高的设备中。; 传统的看法是钽电容性能比铝电容好，因为钽电容的介质为阳极氧化后生成的五氧化二钽，它的介电能力（通常用ε表示）比铝电容的三氧化二铝介质要高。因此在同样容量的情况下，钽电容的体积能比铝电容做得更小。（电解电容的电容量取决于介质的介电能力和体积，在容量一定的情况下，介电能力越高，体积就可以做得越小，反之，体积就需要做得越大）再加上钽的性质比较稳定，所以通常认为钽电容性能比铝电容好。 ;电容的分类;电容的分类;电容的分类;1．隔直流：作用是阻止直流通过而让交流通过。 2．旁路（去耦）：为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗通路。 3．耦合：作为两个电路之间的连接，允许交流信号通过并传输到下一级电路 4．滤波：显卡上的电容基本都是这个作用。 5．温度补偿：针对其它元件对温度的适应性不够带来的影响，而进行补偿，改善电路的稳定性。 ;6．计时：电容器与电阻器配合使用，确定电路的时间常数。 7．调谐：对与频率相关的电路进行系统调谐，比如手机、收音机、电视机。 8．整流：在预定的时间开或者关半闭导体开关元件。 9．储能：储存电能，用于必须要的时候释放。例如相机闪光灯，加热设备等等。;电容用途;电容特性;电容特性;等效串联电阻Rs：电容器的等效串联电阻是由电容器的引脚电阻与电容器两个极板的等效电阻相串联构成的。当有大的交流电流通过电容器，Rs使电容器消耗能量(从而产生损耗)。这对射频电路和载有高波纹电流的电源去耦电容器会造成严重后果。但对精密高阻抗、小信号模拟电路不会有太大的影响。Rs最低的电容器是云母电容器和薄膜电容器。;等效串联电感Ls：电容器的等效串联电感是由电容器的引脚电感与电容器两个极板的等效电感串联构成的。像Rs一样，Ls在射频或高频工作环境下也会出现严重问题。其原因是用于精密模拟电路中的晶体管在过渡频率(Transition frequencies)扩展到几百兆赫或几G赫的情况下，仍具有增益，可以放大电感值很低的谐振信号，这就是在高频情况下对这种电路的电源端要进行适当去耦的主要原因。;等效并联电阻Rp：就是我们通常所说的电容器泄漏电阻，在交流耦合应用、存储应用(例如模拟积分器和采样保持器)以及当电容器用于高阻抗电路时，Rp是一项重要参数，理想电容器中的电荷应该只随外部电流变化。然而实际电容器中的Rp使电荷以RC时间常数决定的速率缓慢泄漏。;电容特性;电容特性;电容特性;电容特性;电容特性;电容特性;电容特性;电容特性;电容特性;电容在电源完整性设计中的应用;电容在电源完整性设计中的应用;电容在电源完整性设计中的应用;电源平面和地平面的边缘效应同样是电源设计中需要注意的问题，这里说的边缘效应就是指边缘反射和辐射现象，也可以列入EMI讨论的范畴。如果抑制了电源平面上的高频噪声，就能很好的减轻边缘的电磁辐射，通常是采用添加去耦电容的方法;电源阻抗设计 电源之所以波动，就是因为实际的电源平面总是存在着阻抗，这样，在瞬间电流通过的时候，就会产生一定的电压降和电压摆动。大部分数字电路器件对电源波动的要求在正常电压的+/-5%范围之内。 为了保证每个器件始终都能得到正常的电源供应，就需要对电源的阻抗进行控制，也就是尽可能降低其阻抗。 针对一个特定的电源，设计的最大电源阻抗为：;从上面的计算公式可以看出，随着电源电压不断减小，瞬间电流不断增大，所允许的最大电源阻抗也大大降低。而当今电路设计的趋势恰恰如此。 几乎每过三年，电源阻抗就要降为原来的五分之一;由于电源阻抗的要求，以往的电源总线形式已经不可能适用于高速电路，目前基本上都 是采用了大面积的铜皮层作为低阻抗的电源分配系统。当然，电源层本身的低阻抗还是不能满足设计的需要，需要考虑的问题还很多，比如，芯片封装中的电源管脚，连接器的接口，以及高频下的谐振现象等等，这些都可能会造成电源阻抗的显著增加。解决这些问题的最简单也最有效的方案就是 大量使用去耦电容;电容并联特性及反谐振 实际应用中的电容往往都是多个并联使用，因为这样可以大大降低等效的Rs和Ls，增大电容。对于多个（n）同样值的电容来说，并联使用之后，等效电容C变为nC，等效电感L变为L/n，等效Rs变为R/n，但谐振频率不变;电