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课程概述;第 1 章　晶体二极管;概 述;1.1　半导体物理基础知识;　　硅和锗的单晶称为本征半导体。它们是制造半导体器件的基本材料。; 本征激发;　　当原子中的价电子激发为自由电子时，原子中留下空位，同时原子因失去价电子而带正电。;温度一定时： 激发与复合在某一热平衡值上达到动态平衡。; N 型半导体：; P 型半导体; 杂质半导体中载流浓度计算;1.1.3　两种导电机理——漂移和扩散; 半导体的电导率;　　载流子在浓度差作用下的运动称扩散运动，所形成的电流称扩散电流。;1.2　PN 结;1.2.1　动态平衡下的 PN 结; 内建电位差：;1.2.2　PN 结的伏安特性; PN 结——单向导电特性; PN 结——伏安特性方程式; PN 结——伏安特性曲线;1.2.3　PN 结的击穿特性;因为 T ? ? 载流子运动的平均自由路程 ? ?V(BR)?。;1.2.4　PN 结的电容特性; PN 结电容;1.3　晶体二极管电路分析方法;1.3.1　晶体二极管的模型;曲线模型—伏安特性曲线;简化电路模型;小信号电路模型;图解法;例 1　已知电路参数和二极管伏安特性曲线，试求电路的 　　　静态工作点电压和电流。; 简化分析法;例 2　设二极管是理想的，求 VAO 值。;(2)画输出信号波形方法;例：; 小信号分析法 ;1.4　晶体二极管的应用; 整流电路; 稳压电路;