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磁电阻测量 谢林洲 131120190 实验目的 （１）初步了解磁性合金的AMR，多层膜的GMR，掺碱土金属稀土锰氧化物的CMR。 （２）初步掌握室温磁电阻的测量方法。 实验原理 一般所谓磁电阻是指在一定磁场下材料电阻率改变的现象。通常将磁场引起的电阻率变化写成?ρ=ρH-ρ(0),其中ρH和ρ(0)分别表示在磁场H中和无磁场时的电阻率。磁电阻的大小常表示为：MR=?ρρ×100% 其中ρ可以是ρH或ρ(0)。 绝大多数非磁性导体的MR都很小，约为10-5%，磁性导体的MR最大为3%~5%，且电阻率的变化与磁场方向与导体中电流方向的夹角有关，即具有各向异性，称之为各向异性磁电阻，简记为AMR。 一些磁性金属和合金的ＡＭＲ与技术磁化相对应，即与从退磁状态到趋于磁饱和的过程相应的电阻变化。外加磁场方向与电流方向的夹角不同，饱和磁化时电阻率不一样，即有各向异性。通常取外磁场方向与电流方向平行和垂直两种情况测量ＡＭＲ。即有Δρ∥＝ρ∥－ρ（０）及Δρ⊥＝ρ⊥－ρ（０）。若退磁状态下磁畴是各向同性分布的，畴壁散射变化对磁电阻的贡献较小，将之忽略，则ρ（０）与平均值ρav＝１／３（ρ∥＋２ρ⊥）相等。大多数材料ρ∥＞ρ（０），故 ＡＭＲ常定义为 如果ρ０≠ρav，则说明该样品在退磁状态下有磁畴织构，即磁畴分布非完全各向同性。图12.1-3是曾用作磁盘读出磁头和磁场传感器材料的Ni81Fe19的磁电阻曲线，很明显，，各向异性明显。图中的双峰是材料的磁滞引起的。图12.1-4是一些铁磁金属与合金薄膜的各向异性磁电阻曲线。 三、实验仪器 亥姆霍兹线圈、电磁铁、特斯拉计、毫特斯拉计、大功率恒流电源、大功率扫描电源、精密恒流源、数字微伏表、双路ＡＤＣ数据采集卡及软件，计算机，四探针样品夹具。 四、实验内容 Ａ．方法 1.将样品切成窄条，这在测AMR时是必需的。对磁性合金薄膜，饱和磁化时，样品电阻率有如下关系:???????????????????????????????????? ??????????????? 其中θ是磁场方向与电流方向的夹角。 为保证电流有一确定方向，常用的方法是：（１）将样品刻成细线，使薄膜样品的宽度远远小于长度。（２）用平行电极，当电极间距远小于电极长度时，忽略电极端效应，认为两电极间的电流线是平行的。 2.用非共线四探针法测电阻值，如图12.1-10所示。这种方法当数字微伏表内阻很大时，可以忽略探针接触电阻的影响，已在半导体、铁氧体、超导体等的电测量中广泛使用。 B.测量 1.测量Ｆｅ-Ｎｉ薄膜的ＡＭＲ a.将大功率恒流源与亥姆霍兹线圈连接。 b.将样品装上四探针夹具，并作如图12.1-10所示连接。 c.将装好样品的夹具固定在亥姆霍兹线圈中心，并确保电流方向与磁场方向平行。 d.将毫特斯拉计探头固定在样品附近。 e.确保所有仪器调整旋钮均在输出为零位置，启动所有测量仪器，预热５～１５分钟，并作校准。 f.调整精密恒流源输出，使测量电流（流过样品的电流）为１～１００ｍＡ范围内的某个确定电流，具体大小视样品情况与测量仪表精度决定。 g.调节大功率恒流源输出电流，从零开始，逐点增大，以改变磁场大小，逐点记录大功率恒流源输出电流值、毫特斯拉计显示的磁场大小、数字微伏表显示的电压值。注意开始时磁场变化的步距要小。 h.当磁场继续增大，微伏表显示电压值基本不变时，将大功率恒流源输出电流逐点减小，仍作上述记录。 i.当大功率恒流源输出电流降到零时，将输出极性反向。 j.再重复ｇ、ｈ两步测量、记录。 k.将样品夹具转９０°固定好，确保电流方向与磁场方向垂直，再重复ｅ-ｊ步测量、记录。 l.关闭所有仪器电源. m.将手动测量记录的数据，绘制Ｒ-Ｈ曲线（横坐标为磁场大小，纵坐标为电阻大小）。 n.计算出ρａｖ，饱和磁化时间Δρ∥、Δρ⊥以及ＡＭＲ。 五、实验数据 当样品与磁场平行时，得到数据绘制成如下曲线： 从图中可以读到由图中可知，两个谷的值为5.674mV和5.653mV，完全磁化时为5.810mV、5.834mV、5.786mV和5.810mV，分别取平均得： U∥=5.810mV U0∥=5.664mV MR∥=U∥-U0∥U0∥×100%=2.59% 由图中可知，两个峰的值为5.714mV和5.701mV，完全磁化时为5.659mV、5.645mV、5.644mV和5.621mV，分别取平均得： U⊥=5.642mV U0⊥=5.708mV MR⊥=U0⊥-U⊥U0⊥×100%=1.15% 所以在本次试验中： U0=U0∥+U0⊥2=5.686mV Uav=13U∥+2U⊥=5.698mV AMR=U∥-U⊥U0×100%=2.95% 数据分析： 1、 在理想情况下，双峰或双谷应关于原点对称，但在该实验中，双峰和双谷关于