第02章静电场选编.pptVIP

第二章 静电场 ;电场线方程;2. 真空中静电场方程 ;根据上面两式可以求出电场强度的散度及旋度，即;将前述结果代入，求得; 若电荷分布在一个有限的表面上，或者分布在一个有限的线段内，那么可以类推获知此时电位及电场强度与电荷的面密度 ?S 及线密度?l 的关系分别为;（1）高斯定律中的电量 q 应理解为封闭面 S 所包围的全部正负电荷的总和。 ;例1 计算点电荷的电场强度。 ; 也可通过电位计算点电荷产生的电场强度。当点电荷位于坐标原点时， 。那么点电荷的电位为;例2 计算电偶极子的电场强度。 ;式中l 的方向规定由负电荷指向正电荷。通常定义乘积 q l 为电偶极子的电矩，以 p 表示，即; 上述结果表明，电偶极子的电位与距离平方成反比，电场强度的大小与距离的三次方成反比。而且两者均与方位角? 有关。这些特点与点电荷显著不同。下图绘出了电偶极子的电场线和等位线的分布。 ;例3 设半径为a，电荷体密度为? 的无限长圆柱带电体位于真空，计算该带电圆柱体内外的电场强度。 ; 因电场强度方向处处与圆柱侧面S1的外法线方向一致，而与上下端面的外法线方向垂直，因此上式左端的面积分为; 上式中?a2? 可以认为是单位长度内的电量。那么，柱外电场可以看作为位于圆柱轴上线密度为 =?a2? 的线电荷产生的电场。由此我们推出线密度为 的无限长线电荷的电场强度为;x;考虑到;3. 电位与等位面 ; 由于电场强度的方向为电位梯度的负方向，而梯度方向总是垂直于等位面，因此，电场线与等位面一定处处保持垂直。若规定相邻的等位面之间的电位差保持恒定，那么等位面密集处表明电位变化较快，因而场强较强。这样，等位面分布的疏密程度也可表示电场强度的强弱。;有极分子; 实际上，介质极化现象是逐渐形成的。当外加电场Ea 加到介质中以后，介质中出现的电偶极子产生二次电场Es，这种二次电场 Es 又影响外加电场，从而导致介质极化发生改变，使二次电场又发生变化。一直到合成电场产生的极化能够建立一个稳态的二次电场，极化状态达到动态平衡，其过程如下图所示。 ; 介质极化以后，介质中出现很多排列方向大致相同的电偶极子。为了衡量这种极化程度，我们定义，单位体积中电矩的矢量和称为极化强度，以P 表示，即 ; 由上可见，这类介质的极化强度与合成的电场强度的方向相同。极化强度的某一坐标分量仅决定于相应的电场强度的坐标分量。极化率与电场方向无关，这类介质称为各向同性介质。有些介质并不是这样，其极化强度的某一坐标分量不仅与电场强度相应的坐标分量有关，而且与电场强度的其他分量也有关。这类介质的极化强度 P 与电场强度 E 的关系可用下列矩阵表示 ; 空间各点极化率相同的介质称为均匀介质，否则，称为非均匀介质。; 发生极化以后，介质表面出现面分布的束缚电荷。若介质内部是不均匀的，则极化产生的电偶极子的分布也是不均匀的，在介质内部出现束缚电荷的体分布，因而出现体分布的束缚电荷。这种因极化产生的面分布及体分布的束缚电荷又称为极化电荷。可以证明这些极化电荷产生的电位为 ; 5. 介质中的静电场方程 ; 介质中微分形式的高斯定律表明，某点电位移的散度等于该点自由电荷的体密度。 ; 实际中经常使用介电常数的相对值，这种相对值称为相对介电常数，以 ?r 表示，其定义为;各向异性介质的电位移与电场强度的关系可以表示为; 对于均匀介质，由于介电常数与坐标无关，因此获得;E2; 为了求出边界上某点的场量关系，必须令 ?l 足够短，以致于在?l内可以认为场量是均匀的，则上述环量为 ;?h;求得;7. 介质与导体的边界条件 ; 既然导体中的电场强度为零，导体表面的外侧不可能存在电场强度的切向分量。换言之，电场强度必须垂直于导体的表面，即; 静电屏蔽：当封闭的导体空腔中没有自由电荷时，即使腔外存在电荷，腔中也不可能存在静电场。这就意味着封闭的导体腔可以屏蔽外部静电场，这种效应称为静电屏蔽。; 例 已知半径为r1 的导体球携带的正电量为q，该导体球被内半径为 r2 的导体球壳所包围，球与球壳之间填充介质，其介电常数为?1 ，球壳的外半径为 r3 ，球壳的外表面敷有一层介质，该层介质的外半径为r4 ，介电常数为?2 ，外部区域为真空，如左下图示。; 在 r r1及 r2r r3 区域中，因导体中不可能存静电场，所以E = 0。 ; 根据 及 ，可以求得各个表面上的自由电荷及束缚电荷面密度分别为;8. 电容与部分电容 ; 对于多导体之间的电容计算，需要引入部