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第五章 半导体压力传感器;§5.1 压阻效应; 一般电阻丝的横截面积为圆形 由材料力学知，对特定的材料在纵向伸长的同时，横截面积会减小，横向线度的相对缩小和纵向线度的相对伸长之间具有固定的比例，这一比例称为泊松比，即 式中的ν称为泊松系数。 所以; 应力也引起材料电阻率的变化，以σ表示应力，则电阻率的相对变化与应力成正比 式中的π称为材料的压阻系数。 根据虎克定律，应力σ、应变 和弹性模量E之间的关系为： 所以; 由以上推导得出材料在受到应力时，电阻的相对变化与应变之间的关系为： G称为材料的应变计因子，或材料的灵敏系数，其物理意义为材料发生单位应变时的电阻变化率。 ※G的物理意义※ G由两部分组成：前一部分是（1+2υ），由材料的几何尺寸变化引起，一般金属υ≈0.3，因此（1+2υ）≈1.6；后一部分为πE ，由材料受力后电阻率随应变发生变化引起（称“压阻效应”） 对金属材料，电阻率基本与应力无关，以前者为主，则G ≈ 1+2υ； 对半导体， G值主要由电阻率相对变化所决定，以后者为主，灵敏系数比金属大很多，一般在70～170之间。 利用半导体材料优良的压阻特性与其完美的弹性性能相结合，构成了半导体压阻式压力传感器的基础。;二、压阻系数 前面已经讨论过，半导体材料在受到应力作用时电阻的相对变化与电阻率的变化密切相关，其影响由压阻系数π决定。对很多半导体材料来说，压阻系数并不是一个常数，而是个高阶张量，如单晶硅在外力作用下，当坐标轴取在晶轴方向时，其压阻系数有如下形式：; 多向应力作用在单晶硅上，由于压阻效应，硅晶体的的电阻率变化，引起电阻的变化，其相对变化dR/R与应力的关系如下式。在正交坐标系中，坐标轴与晶轴一致时，有 式中 σl——纵向应力；σt——横向应力； σs——与σl、σt垂直方向上的应力； πl、πt、πs——分别为σl、σt、σs相对应的压阻系数 πl表示应力作用方向??通过压阻元件电流方向一致时的压阻系数，πt表示应力作用方向与通过压阻元件电流方向垂直时的压阻系数。; 当坐标轴与晶轴方向有偏离时，再考虑到πsσs，一般扩散深度为数微米，垂直应力较小可以忽略。因此电阻的相对变化量可由下式计算 式中πl、πt值可由纵向压阻系数π11、横向压阻系数π12、剪切压阻系数π44的代数式计算，即 式中 l1、m1、n1——压阻元件纵向应力相对于立方晶轴的方向余弦；l2、m2、n2——横向应力相对于立方晶轴的方向余弦； π11、π12、π44——单晶硅独立的三个压阻系数，它们由实测获得数据，在室温下，其数值见表5.1.1。; 表5.1.1 π11、π12、π44的数值（×10-11m2/N）;§5.2 半导体压阻式压力传感器 ■ 一、半导体压阻式压力传感器的基本结构 利用固体扩散技术，将P型杂质扩散到一片N型硅底层上，形成一层极薄的导电P型层，装上引线接点后，即形成扩散型半导体应变电阻。若在圆形硅膜片上扩散出四个P型电阻，构成惠斯特电桥的四个臂，这样的敏感器件通常称为压阻器件，如图所示。; ■ 二、压阻全桥原理 在压力传感器的设计中，为了提高满量程输出，减小零点温度漂移及提高线性度，通常把压敏电阻连接成惠斯特电桥结构，并有恒压源或恒流源两种供电方式。 ⒈恒压源供电 恒压源供电时，电路结构模型如下。其中R1、R2、R3、R4为四个导电良好的扩散电阻，在零压时电桥的输出为： V0称为零位失调电压。; 当硅膜片两侧存在压力差时：膜片发生形变，使得硅膜片上四 个桥臂电阻值发生变化。半导体的压阻效应具有各向异性的特性，通过适当的设计，可使得当硅膜片受到压力作用后，R1、R3有正增量， R2、R4有负增量， 即R1→R1+△R1， R2→R2-△R2 ， R3→R3+△R3 、 R4→R4-△R4 ，于是在压力作用下，电桥失