第6章光电效应及应用选编.ppt

第6章 光电效应及应用 光电效应是半导体晶体材料吸收入射光子的能量后，产生电子的效应，这种现象最早是由德国物理学家赫兹在1887年研究电磁波的性质时偶然发现的，但当时人们用经典电磁理论无法对实验中得到的结果做出合理的解释。 直到1905年，爱因斯坦用光量子的概念，从理论上才成功地解释了光电效应现象，因此爱因斯坦1912年获得了诺贝尔物理学奖。 光电效应的主要应用是光探测器和光伏电池等。光探测器是吸收入射光子能量后把光信号转变为电信号，产生光生电流；而光伏电池是将太阳能转换为电能。 第6章 光电效应及应用 6.1 光探测概述 6.2 光探测器 6.3 光伏电池 6.1.1 光探测原理 如果把光子能量大于hv的光波照射到占据低能带的电子上，则电子吸收该能量后被激励跃迁到较高的能带上。在半导体结上外加电场后，就可以在外电路上取出处于高能带上的电子，使光能转变为电流，如图6.1.1（b）所示，这就是光探测器件。 在 PN 结施加反向电压的情况下，受激吸收过程生成的电子空穴对，在电场的作用下，在外电路形成光生电流。 当入射功率变化时，光生电流也随之线性变化，从而把光信号转变成电流信号。 假如入射光子的能量超过禁带能量 Eg，耗尽区每次吸收一个光子，将产生一个电子空穴对，发生受激吸收。 光探测原理----受激吸收 在 PN 结施加反向电压的情况下，受激吸收过程生成的电子空穴对在电场的作用下, 分别离开耗尽区，电子向 N 区漂移，空穴向 P 区漂移，空穴和从负电极进入的电子复合，电子则离开 N 区进入正电极。从而在外电路形成光生电流。 当入射功率变化时，光生电流也随之线性变化，从而把光信号转变成电流信号。 图6.1.2a PN结光检测原理说明 6.1.2 响应度和量子效率 6.1.3 响应带宽 光敏二极管响应带宽定义 受RC时间常数限制的带宽 上升时间定义为输入阶跃光功率时，探测器输出光电流最大值的 10 % 到 90 % 所需的时间。 上升时间定义 6.2 光探测器 6.2.1 PIN光敏二极管 6.2.2 雪崩光敏二极管 6.2.3 单行载流子光敏探测器 6.2.4 波导探测器（WD-PD） 6.2.5 行波探测器（TW-PD） 6.2.6 肖特基结光敏探测器 6.2.7 紫外光探测器 6.2.8 光敏晶体管 6.2.9 光敏二极管负载线及前置放大器 光探测器 一种43Gb/s DQPSK双平衡接收机 6.2.1 PIN光敏二极管1. 工作原理 简单的 PN 结光敏二极管具有两个主要的缺点。 首先，它的结电容或耗尽区电容较大，RC 时间常数较大，不利于高频调制。 其次，它的耗尽层宽度最大也只有几微米，此时长波长的穿透深度比耗尽层宽度 W 还大，所以大多数光子没有被耗尽层吸收，因此长波长的量子效率很低。 为了克服 PN 管存在的问题，人们采用 PIN 光敏二极管 PIN 二极管与 PN 二极管的主要区别是，在 P 和 N 层之间加入了一个 I 层，作为耗尽层。I 层的宽度较宽，约有5 ~ 50 m，可吸收绝大多数光子，使光生电流增加。 图6.2.1 PIN光敏二极管 PIN光敏二极管的响应时间 2. 光敏二极管的响应波长 图6.2.2(a) PIN光敏二极管的波长响应曲线 图6.2.2（b） APD 波长响应曲线 半导体材料的吸收系数和穿透深度 波长比截止波长短的入射光子，当它们在半导体内传输时被吸收，所以与光子数成正比的光强在半导体内随距离的增加按指数式衰减。光强I与从半导体表面开始的距离x的关系是 （6.2.4） 式中，I0是入射光的强度，是吸收系数，它是材料的特性，与光子能量和波长有关。63 %的光子吸收发生在距离1/内，所有称1/为穿透厚度或吸收深度。图6.3.7表示各种半导体材料吸收系数与波长的关系，图中也表示出各种典型半导体材料的截止波长。 图6.3.7 半导体材料吸收系数与波长的关系 光敏二极管上截止波长和下截止波长 当入射光波长太短时，光敏转换效率也会大大下降，这是因为材料对光的吸收系数是波长的函数，如图6.3.7所示。当入射波长很短时，材料对光的吸收系数变得很大，结果使大量的入射光子在光敏二极管的表面层就被吸收。而反向偏压主要是加在PN结的耗尽层里，光敏二极管的表面层里往往存在着一个零电场区域，如图6.3.5所示。在零电场区域里产生的电子-空穴对不能有效地转换成光电流，从而使光电转换效率降低。 因此，用不同种类材料制作的光敏二极管对光波长的响应也不同。Si光敏二极管的波长响应范围为0.6~1.0 m，适用于短波长波段；Ge和InGaAs光敏二极管的波长响应范围