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　　 主讲人： 谢志宇 电 话： E-mail : xiexiezhiyu@126.com;1. 本课程的性质;5. 学习方法;目录;第四版童诗白;第四版童诗白;第四版童诗白;本章讨论的问题：;;半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：;;;四、本征半导体中载流子的浓度;1. 半导体中两种载流子;1.1.2　杂质半导体; 本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。;;二、 P 型半导体;图 1.1.4　P 型半导体;说明：; 在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为 PN 结。 ; PN 结中载流子的运动;3. 空间电荷区产生内电场;5. 扩散与漂移的动态平衡;二、 PN 结的单向导电性;　　在 PN 结加上一个很小的正向电压，即可得到较大的正向电流，为防止电流过大，可接入电阻 R。;　耗尽层;　　 当 PN 结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流， PN 结处于 导通状态； 当 PN 结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零， PN 结处于截止状态。 　　;IS ：反向饱和电流 UT ：温度的电压当量 在常温(300 K)下， UT ? 26 mV;四、PN结的伏安特性;五、PN结的电容效应;　　空间电荷区的正负离子数目发生变化，如同电容的放电和充电过程。;2. 扩散电容 Cd;综上所述：; 1.2 半导体二极管;1 点接触型二极管;3 平面型二极管; 1.2.2二极管的伏安特性;二、温度对二极管伏安特性的影响; 1.2.3 二极管的参数; 1.2.4 二极管等效电路; 1.2.4 二极管等效电路; 1.2.4 二极管等效电路; 二、二极管的微变等效电路; 应用举例;1.2.5 　稳压二极管;(1) 稳定电压UZ;↓;例1：稳压二极管的应用;;例2：稳压二极管的应用;一、发光二极管 LED (Light Emitting Diode);发光类型：;二、光电二极管;1.3　双极型晶体管(BJT);1.3.1　晶体管的结构及类型;图 1.3.2(b)　三极管结构示意图和符号　　NPN 型;集电区;1.3.2　晶体管的电流放大作用;三极管内部结构要求：;b;b;b;三、晶体管的共射电流放大系数;3、共基直流电流放大系数;1.3.3 晶体管的共射特性曲线;;;二、交流参数;1.最大集电极耗散功率PCM; 由PCM、 ICM和UCEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区;1.3.5　温度对晶体管特性及参数的影响;三极管工作状态的判断;[例2]　某放大电路中BJT三个电极的电流如图所示。 IA＝-2mA,IB＝-0.04mA,IC＝+2.04mA,试判断管脚、管型。;例[3]：测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位U1、U2、U3分别为： （1）U1=3.5V、U2=2.8V、　U3=12V （2）U1=3V、　U2=2.8V、　U3=12V （3）U1=6V、　U2=11.3V、　U3=12V （4）U1=6V、　U2=11.8V、　U3=12V 判断它们是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？并确定e、b、c。;1.3.6　光电三极管;复习;1.4　场效应三极管;N沟道;;P 沟道场效应管;一、结型场效应管工作原理;1. 当UDS = 0 时， uGS 对导电沟道的控制作用;1. 当UDS = 0 时， uGS 对导电沟道的控制作用;1. 当UDS = 0 时， uGS 对导电沟道的控制作用;2. 当uGS 为UGS（Off)~0中一固定值时,uDS 对漏极电流iD的影响。;G;3.当uGD uGS(off)时 , uGS 对漏极电流iD的控制作用;小结;二、结型场效应管的特性曲线; 转移特性;IDSS/V;＊　结型P 沟道的特性曲线;1.4.2　绝缘栅型场效应管 MOSFET Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor;一、N 沟道增强型 MOS 场效应管;1. 工作原理;(2) UDS = 0，0 UGS UGS(th);(4) U