测量集成霍尔传感器灵敏度.pptVIP

第八章 霍尔传感器;8.1 霍尔效应及霍尔元件; ;其洛仑兹力大小可表示为 FL= －q0vB 静电场对电子的作用力 上式连立:;式中:; 图中的矩形薄片状的立方晶体称为基片，在它的两垂侧面上各装有一对电极，电极1-1用以加激励电压或流过激励电流，故称为激励电极，电极2-2作为霍尔电势UH的输出，故称为霍尔电极，基片的尺寸要求厚度d越薄越好，d越薄，霍尔元件的灵敏系数 越大，在基片外面用金属或陶瓷、环氧树脂封装作为外壳。图8-3是霍尔元件的通用图形符号。 ;;2．霍尔元件的测量电路 (1)基本测量电路 霍尔元件的基本测量电路如图8-5所示。激励电流由电压源E供给，其大小由可变电阻来调节。 ;(2)霍尔元件的输出电路 在实际应用中，要根据不同的使用要求采用不同的连接电路方式。如在直流激励电流情况下，位了获得较大的霍尔电压，可将几块霍尔元件的输出电压串联，如图8-6（a）所示。在交流激励电流情况下，几块霍尔元件的输出可通过变压器接成如图8-6（b）的形式，以增加霍尔电压或输出功率。;8.1.3 霍尔元件的主要特性参数 1．输入电阻Ri和输出电阻Ro 定义霍尔元件激励电极之间的电阻称为输入电阻Ri。霍尔电极之间的电阻称为输出电阻Ro 2．额定激励电流IN和最大允许激励电流Imax 霍尔元件在空气中产生的温升为10℃时，所对应的激励电流称为额定激励电流IN。以元件允许的最大温升为限制，所对应的激励电流称为最大允许激励电流Imax。 ;3．不等位电势和不等位电阻 当霍尔元件的激励电流为额定值IN时，若元件所处位置的磁感应强度为零，则它的霍尔电势应该为零，但实际不为零，这时测得的空载霍尔电势称为不等位电势。 产生原因:主要由霍尔电极安装不对称造成的,由于半导体材料的电阻率不均匀、基片的厚度和宽度不一致、霍尔电极与基片的接触不良（部分接触）等原因，即使霍尔电极的装配绝对对称，也会产生不等位电势。;补偿方法: 任意两相邻的电极之间可视为一个等效电阻,则霍尔元件可视为一四臂电桥,要不等位电势为0,只需电桥输出为零即可,因此采用加调零电位器的方法很好.如图8-7所示.;4．交流不等位电势与寄生直流电势 在不加外磁场的情况下，霍尔元件使用交流激励时，霍尔电极间的开路交流电势称为交流不等位电势。在此情况下输出的直流电势称为寄生直流电势。 产生交流不等位电势的原因与不等位电势相同，而寄生直流电势的产生则是由于： （1）霍尔电极与基片间的非完全欧姆接触而产生的整流效应。 （2）霍尔电极与基片间的非完全欧姆接触而产生的整流效应，使激励电流中包含有直流分量，通过霍尔元件的不等位电势的作用反映出来。一般情况下，不等位电势越小，寄生直流电势也越小。 （3）当两个霍尔电极的焊点大小不同时，由于它们的热容量、热耗散等情况的不同，引起两电极温度不同而产生温差电势，也是寄生直流电势的一部分。 ; 寄生直流电势可用图8-8所示电路测量，经变压器降压后的交流电源供给霍尔元件的激励电流，直流电位差计UJ-30的显示灵敏度应大于10-7V。 ;5．霍尔电势温度系数α 在一定磁感应强度和激励电流下，温度每变化1℃时，霍尔电势变化的百分率，称为霍尔电势温度系数α。 6．霍尔灵敏系数KH 在单位控制电流和单位磁感应强度作用下，霍尔器件输出端的开路电压，称为霍尔灵敏系数KH，霍尔灵敏系数KH的单位为V/（A·T）。;8.1.4 霍尔器件的材料选择 以N型半导体材料为好.表中给出常见的材料.;8.2 霍尔集成传感器;（1）霍尔元件：在0.1T磁场作用下，霍尔元件开路时可输出20mV左右 的霍尔电压，当有负载时输出10mV左右的霍尔电压。 （2）差分放大器：放大器将霍尔电压放大，以便驱动后一级整形电路。 （3）整形电路：一般采用施密特触发器，它把经差分放大的电压整形为矩形脉冲，实现A/D转换。 （4）输出管：由一个或两个三极管组成，采用单管或双管集电极开路输出，集电极输出的优点是可以跟很多类型的电路直接连接，使用方便。 （5）电源电路：包括稳压电路和恒流电路，设置稳压和恒流电路的目的，一方面是为了改善霍尔传感器的温度性能，另一方面可以大大提高集成霍尔传感器工作电源电压的适用范围。;2．霍尔开关集成传感器的特性 （1）磁特性 霍尔开关集成传感器的磁特性是指由高电平翻转为低电平的导通磁感应强度B（H→L）、由低电平翻转为高电平的截止磁感应强度B（L→H）和磁感应强度的滞环宽度 .