电子线路(清华大学出版社-董尚斌主编)第1章-1二极管基础知识.pptVIP

参考书;5.《模拟电子技术基础·问答·例题·试题》陈大钦主编 华中科技大学出版社 6.《模拟电子技术基础》第三版 全程辅导 苏志平主编 中国建材工业出版社;第 1 章 半 导 体器 件 与 模 型;1.1 半导体的导电特性; 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。;1.1.1 本征半导体;1. 原子结构及简化模型;2. 本征半导体和本征激发;半导体晶体结构; 共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。; 形成共价键后，每个原子的最外层电子是 8个，构成稳定结构。; 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，大多数半导体在常温下束缚电子很难脱离共价键。;;本征激发;本征激发→热激发→价电子获得足够的能量脱离共价键的束缚→自由电子→共价键上形成空穴→自由电子-空穴对; 本征半导体中外界激发产生的自由电子和空穴总是成对出现，两者数目相同。;本征半导体的载流子;出现空穴→临近价电子填补到空穴中→在新位置留下空位→空穴迁移→相当于正电荷的移动→空穴是载流子。;自由电子跳入空穴，重新为共价键束缚，使自由电子和空穴两者同时消失的现象; 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。;3. 本征半导体中载流子浓度;本征激发中有;本征半导体的导电能力很弱。？;硅的本征载流子浓度;如何提高本征半导体的载流子浓度？;1.1.2 杂质半导体; 所掺入5价元素称为施主杂质，或N型杂质。;;N型半导体动态平衡载流子浓度; N型半导体中，自由电子为多子（多数载流子），空穴为少子（少数载流子）。;2. P型半导体;;杂质元素能否成为载流子？ ;P型半导体中;P型半导体动态平衡载流子浓度; P型半导体中，空穴为多子（多数载流子），自由电子为少子（少数载流子）。; 少子浓度随温度的变化是影响半导体器件性能的主要原因。;1.1.3 半导体中的漂移电流和扩散电流;1. 漂移电流;漂移电流密度;总的漂移电流密度 ：;2. 扩散电流;扩散电流密度;迁移率与扩散系数的关系;1.2 PN结;1. PN结的形成;;;空间电荷区;PN结;内建电场;内电场E的影响;（3）扩散电流减小，漂移电流增加，漂移电流将部分抵消因浓度差产生的使两区多子越结的扩散电流。;阻挡层宽度与阻挡层两边的电荷量有关？; 阻挡层宽度可反映内建电场强度，当PN结交界面处的截面积S一定时，阻挡层越宽，形成的带电离子电荷量越大。;阻挡层在任一侧的宽度与该侧掺杂浓度成反比。即掺杂浓度低的一侧阻挡层宽。;动态平衡时的PN结; 电子、空穴的扩散电流和漂移电流均等值反向；;2.内建电位差;两中性区没有电场;内建电位差：;1. 正向特性;将引起阻挡层的变化？;正偏时，各电量的变化？;正偏→正向电流;外加正偏置电压时载流子浓度分布变化;PN结正偏时： 在N、P区均形成非平衡少数载流子浓度分布;PN结正偏时，通过PN结的电流是由两个区的多子通过阻挡层的扩散而形成自P区流向N区的正向电流IF。; 为了保证整个闭合回路中电流的连续性，外电源必须源源不断地向P区和N区补充扩散和复合中损失的空穴和自由电子 .;PN结承受的电压：;PN结反偏：;反向电流;反偏时，PN结呈现为一个大电阻;正偏→加正向电压; 1) 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。;故有; 一般而言，要产生正向电流时，外加电压远大于VT，正向电流远大于 Is，则可得;陡峭?电阻小正向导通;PN结正偏时: 正向伏安特性; ;正向伏安特性;1.2.3 PN结的击穿特性;PN结的击穿有雪崩击穿、齐纳击穿和热击穿等 。;如此连锁反应使得阻挡层中载流子的数量出现倍增效应，载流子浓度增长极快，使反向电流急剧增大，这个过程像雪崩一样。 阻挡层愈宽，要达到碰撞电离所要求的电 场强度就愈大，因而雪崩击穿的电压较高，其 值随掺杂浓度的降低而增大。; 场致激发在极短的时间内，使阻挡层内载 流子浓度剧增，从而反向电流急剧增加。 齐纳击穿发生在掺杂浓度较高的PN结中， 相应的击穿电压较低，且其值随掺杂浓度的增 加而减少。;雪崩击穿电压随温度升高而提高，具有正的温度系数。 齐纳击穿电压随温度升高而降低，具有负的温度系数。 通过上述讨论可见，两种击穿电压的温度系数恰好相反。 一般6V以下的击穿属于齐纳击穿，而高于6V的击穿