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多晶硅片生产工艺简介
浙江光普能源有限公司;目录
一、光伏产业链
二、多晶硅片生产流程
三、半导体和硅材料
四、多晶硅片生产技术指标（简介）;一、光伏产业链;;二、多晶硅片生产流程;2.1多晶铸锭生产流程;;2.2多晶切片生产流程;切片：用WIRESAW将硅块切割成硅片（wafer）;切割后多晶硅片;多晶硅片生产设备一览;公司设备图片;多晶铸锭炉;红外杂质探伤仪IRB50;三、半导体和硅材料;半导体材料的内部结构;晶体的能带;本征半导体和杂质半导体;n型和p型半导体;半导体的性质;光生伏特效应;3.2什么是“硅材料”;硅材料的一些技术参数;四、多晶硅片生产技术指标;5.杂质控制：在铸造多晶过程中，包括原料状况、多晶炉热场材料等往往会带来大块的杂质，这些杂质的存在会严重影响后续切片的效果，而且夹杂的硅片光电转换效率特别低，一般有杂质的硅块直接去除。多晶硅块检测要求无杂质。 6.多晶硅片标准尺???：156*156mm（8寸） 7.多晶硅片标准厚度：200±20 μm 8.硅片缺陷：隐裂、裂纹、线痕、崩边、缺口长度、深度等要求（详见《多晶硅片检验标准》）;谢 谢！
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