新型硅控整流器资料.ppt

新型硅控整流器（SCR）的数字和 高压的ESD电源钳位;背景知识;有效的ESD钳位保护电路可以大大提升整个芯片的抗ESD的能力，必须具备以下特点： 触发电压适当。一方面要较小，便于及时触发；另一方面要大于VDD与VSS的电压差，避免VDD和VSS导通。 导通电阻小，能容纳ESD泄放时的大电流。 泄漏电流小。电路正常工作时，钳位电路应处于关闭状态，泄漏电流必须足够小，否则会影响内部电路性能和增大电路的静态功耗。 能够防止闩锁效应。由于钳位电路处于电源/地之间，屏蔽闩锁尤为重要，否则会使整个电路失效。;闩锁效应;ESD防护窗口;ESD防护窗口与特征尺寸关系;常用的ESD钳位保护电路及特点分析 栅耦合MOS管(GCMOS)、级联二极管串（CDS）、可控硅管(SCR)等。 GCMOS是最常用的钳位保护电路，但其单位面积抗ESD的能力差，获得高ESD保护能力时需版图???积过大。 CDS管结构简单，钳位能力强，但CMOS工艺下会出现Darlington效应，影响泄放能力。 SCR管单位面积抗ESD能力强，泄漏电流小，但其特有的Snapback特性容易造成闩锁效应。;新型ESD钳位保护电路;新型ESD钳位保护电路;新型ESD钳位保护电路; TLP测试结果; TLP测试结果;模拟电流密度分布;堆叠电路;SOI工艺下MISCR器件结构;图9（a）不同的N阱长度和堆叠个数下MISCR的TLP测试结果。;图9（b）不同的N阱长度和堆叠个数下MISCR的TLP测试结果。;结 论