江苏高校的半导体物理复习(整理后)试卷.doc

一、填充题 1. 两种不同半导体接触后,? 费米能级较高的半导体界面一侧带 电达到热平衡后两者的费米能级 。 2. 半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央，其导带极小值位于 方向上距布里渊区边界约0.85倍处，因此属于 半导体。 3. 晶体中缺陷一般可分为三类：点缺陷，如 ； 线缺陷，如 ；面缺陷，如层错和晶粒间界。 4. 间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为 ； 形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为 。 5． 杂质可显著改变载流子浓度； 杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。 6. 硅在砷化镓中既能取代镓而表现为 ，又能取代砷而表现为 ，这种性质称为杂质的双性行为。 7．对于ZnO半导体，在真空中进行脱氧处理， 可产生 ， 从而可获得 ZnO半导体材料。 8．在一定温度下，与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为 ，高于费米能级2kT能级处的占据概率为 。 9．本征半导体的电阻率随温度增加而 ，杂质半导体的电阻率随温度增加，先下降然后 ，再单调下降。 10．n型半导体的费米能级在极低温（0K）时位于导带底和施主能级之间 处，随温度升高，费米能级先上升至一极值，然后下降至 。 11. 硅的导带极小值位于空间布里渊区的 方向。 12. 受主杂质的能级一般位于 。 13. 有效质量的意义在于它概括了半导体 的作用。 14. 除了掺杂， 也可改变半导体的导电类型。 15. 是测量半导体内载流子有效质量的重要技术手段。 16. PN结电容可分为 和扩散电容两种。 17. PN结击穿的主要机制有 、隧道击穿和热击穿。 18. PN结的空间电荷区变窄，是由于PN结加的是 电压。 19.能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的 ， 引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的 的作用。 20. 从能带角度来看，锗、硅属于 半导体，而砷化稼 属于 半导体，后者有利于光子的吸收和发射。 21．除了 这一手段， 通过引入 也可在半导体禁带中引入能级，从而改变半导体的导电类型。 22. 半导体硅导带底附近的等能面是沿 方向的旋转椭球面，载流 子在长轴方向（纵向）有效质量ml 在短轴方向（横向）有效质量mt。 23.对于化学通式为MX的化合物半导体，正离子M空位一般表现为 ，正离子M为间隙原子时表现为 。 24． 对于化学通式为MX的化合物半导体，负离子X空位一般表现为 ，负离子X为间隙原子时表现为 。 25. 半导体导带中的电子浓度取决于导带的 （即量子态按能量如何分布）和 （即电子在不同能量的量子态上如何分布）。 26．通常把服从 的电子系统称为非简并性系统，服从 的电子系统称为简并性系统。 27．对于N型半导体，其费米能级一般位于禁带中线以上，随施主浓度增加，费米能级向 移动