半导体工艺基础教程.ppt

集成电路及微机械加工技术 -----半导体集成电路工艺基础? 张正元 ; 提纲 一、 概论 二、 工艺流程实例（图解） 三、 基本单项工艺技术 1、 扩散－掺杂 2、 离子注入－掺杂 3、 氧化－薄膜生长 4、 CVD－薄膜生长 7、 金属化（PVD）－薄膜，互连 5、 光刻－图形转移 6、 刻蚀－形成图形 8、 清洗 四、工艺集成开发; 集成电路制造工艺的技术性和实用性强，涉及面广，发展依赖于基础材料、器件物理、工艺原理、电子光学、离子光学、电子计算机技术、超净和超纯技术、真空技术、自动控制、精密机械、冶金化工等方面的新成果。 ;(一)、集成电路工艺技术的发展规律 Intel 公司创始人摩尔于1975 年总结出IC 工业发展的一个重要规律，即摩尔定律：IC 的集成度将每年翻一番。1980年摩尔定律被修改为： IC 的集成度每1.5年翻一番，即每3年乘以4。 IC 发展的另一些规律为： 建立一个芯片厂的造价也是每3年乘以4。 线条宽度每4 ~ 6 年下降一半。 芯片上每个器件的价格每年下降30% ~ 40% 。 晶片直径的变化： 60年：0.5英寸， 65年：1英寸， 70年：2英寸， 75年：3英寸， 80年：4英寸， 90年：6英寸， 95年：8英寸(200mm), 2000年：12英寸(300mm)。;(二)、集成电路的发展展望 目标：集成度 、可靠性 、速度 、功耗 、成本 。 努力方向：线宽 、晶片直径 、设计技术 。 ;美国1997 ~ 2012 年半导体技术发展规划;世界硅微电子技术发展的预测; 可以看出，专家们认为，至少在未来10年内，IC 的发展仍将遵循摩尔定律，即集成度每3年乘以4 ，而线宽则是每6 年下降一半。 硅技术过去一直是，而且在未来的一段时期内也还将是微电子技术的主体。目前硅器件与集成电路占了3000多亿美圆的半导体市场的95% 以上。 ;二、工艺流程实例;硅栅非自对准CMOS工艺流程;PWELL推进;NSD磷注入; 刻蚀Poly;掺杂工程： 热扩散、离子注入/退火、中子嬗变等 薄膜制备： 包括氧化、蒸发、CVD 、溅射(PVD) 等 图形的转移与形成： 包括光刻、刻蚀等工艺 ;§1.1 概述 扩散是将一定数量和一定种类的杂质掺入到硅片或其它晶体中，以改变其电学性质，并使掺入的杂质数量和分布情况都满足要求。这是一种基本而重要的半导体技术。扩散工艺用于形成双极器件中的基区、发射区和集电区、MOS器件中的源区与漏区，扩散电阻、互连引线以及多晶硅掺杂等。 浓度的差别越大，扩散越快；温度越高，扩散也越快。;; 半径较小的杂质原子从半导体晶格的间隙中挤进去，即所谓 “间隙式” 扩散；半径较大的杂质原子代替半导体原子而占据格点的位置，再依靠周围空的格点（即空位）来进行扩散，即所谓 “替位式” 扩散。 对硅而言，Au、Ag、Cu、Fe、Ni 等半径较小的杂质原子按间隙式扩散，而 P、As、Sb、B、Al、Ga、In 等半径较大的杂质原子则按替位式扩散，间隙式扩散的速度比替位式扩散的速度快得多。 ;§1.3 扩散系数与扩散方程 （一）、费克第一定律——扩散定律 一维情况下，单位时间内垂直扩散通过单位面积的粒子数——即扩散流密度jp( x, t )与粒子的浓度梯度成正比。 扩散系数D与温度T（K）之间有如下指数关系： D = D∞e —ΔE/kT;（二）、费克第二定律——扩散方程; 式中假定D为常数，与杂质浓度 N( x, t )无关，x 和 t 分别表示位置和扩散时间。针对不同边界条件求出方程的解，可得出杂质浓度 N 的分布，即 N 与 x 和 t 的关系。 两种扩散方式 ;A、恒定表面源扩散; 恒定表面源扩散的主要特点如下： （1）表面杂质浓度Ns 由所扩散的杂质在扩散温度下（900℃~1200℃）的固溶度决定。 （2）扩散时间越长，扩散温度越高，扩散进硅片内