05章节 光源与光发送机.pptVIP

第五章 光源与光发送机;5.1 半导体光源的物理基础;2. 半导体的能带 在单个原子中，电子是在原子内部的量子态运动的。 当大量原子结合成晶体后，邻近原子中的电子态将发生不同程度的交叠，原子间的影响将表现出来。原来围绕一个原子运动的电子，现在可能转移到邻近原子的同一轨道上去 ，晶体中的电子不再属于个别原子所有，它们一方面围绕每个原子运动，同时又要在原子之间做共有化运动，如图5-1所示。 ;;在大量原子相互靠近形成半导体晶体时，由于半导体晶体内部电子的共有化运动 ，使孤立原子中离散能级变成能带。 ;;;;;5.1.2 光与物质的相互作用 1. 自发辐射 处于高能级的电子状态是不稳定的，它将自发地从高能级(在半导体晶体中更多是指导带的一个能级)运动(称为跃迁)到低能级(在半导体晶体中更多是指价带的一个能级)与空穴复合，同时释放出一个光子。由于不需要外部激励，所以该过程称为自发辐射。; 根据能量守恒定律，自发辐射光子的能量为： hν12=E2-E1 式中：h为普朗克常数，其值为6.626×10-34J·s；ν12为光子的频率；E2为高能级能量；E1为低能级能量。;2. 受激辐射 在外来光子的激励下，电子从高能级跃迁到低能级与空穴复合，同时释放出一个与外来光子同频、同相的光子。由于需要外部激励，所以该过程称为受激辐射。 3. 受激吸收 在外来光子激励下，电子吸收外来光子能量而从低能级跃迁到高能级，变成自由电子。;5.1.3 粒子数反转分布状态 1. 粒子数正常分布状态 在热平衡状态下，高能级上的电子数要少于低能级上电子数。 ;2. 粒子数反转分布状态 为了使物质发光，就必须使其内部的自发辐射和/或受激辐射几率大于受激吸收的几率，这一点我们已经在介绍光与物质的相互作用过程中提及过。 有多种方法可以实现能级之间的粒子数反转分布状态，这些方法包括光激励方法、电激励方法等。;5.2 半导体光源的工作原理; 对N型半导体，过剩电子占据了未掺杂(本征)半导体中空的导带，占据几率由费密一狄拉克分布决定。 对本征半导体费密能级位于带隙中间，价带中所有??置都由电子填充(黑圆点)，而导带中所有位置都空着，如图5.3(a)所示。 当杂质浓度增大时，费密能级向导带移动，对重掺杂N型半导体，费密能级位于导带内，这样的半导体称为兼并型N型半导体，如图5.3(b)所示。; 类似地对P型半导体，费密能级Efv向价带移动，并在重掺杂时位于价带内，称为兼并型P型半导体．如图5．3(c)所示。 在非热平衡状态时，价带中载流子分布与兼并型P型半导体的分布相似，而导带中则与兼并型N型半导体分布相似，称为双兼并型半导体，如图5。3(d)所示。 简并型P型半导体，费米能级Ef会进入价带，如图5-4(a)所示； 简并型N型半导体，费米能级Ef会进入导带，如图5-4(b)所示。;;PN结、同质结与异质结 ;; 在空间电荷区里，电场的方向由N区指向P区，这个电场称为“自建场”。在自建场作用下，载流子将产生漂移运动，漂移运动的方向正好与扩散运动相反，开始时扩散运动占优势，但随着自建场的加强，漂移运动也不断加强，最后漂移运动完全抵消了扩散运动，达到平衡状态。 当在PN结上加正向电压时，外加场的方向正好与自建场的方向相反，削弱了自建场的作用，打破了原来的动态平衡，扩散运动超过了漂移运动，P区空穴将通过PN结不断流向N区，N区的电子亦流向P区，形成正向电流，并通过自发发射或受激发射复合和发光。 当PN结加上反向电压时，外电场与自建场相同，电子和空穴将背离PN结面移动，空间电荷区变宽，区内电子和空穴都很少，变成高阻层，因而反向电流很小，PN结呈现单向导电特性。 ;;; 如果N区的能级位置保持不变，则P区的能级应提高，从而使PN结的能带发生弯曲。能带是用于描述电子能量的，PN结能带的弯曲正反映空间电荷区的存在。 在空间电荷区中，自建场从N区指向P区，说明P区相对N区为负电位，用-VD表示，称为接触电位差，或称PN结势垒高度，P区所有能级的电子都附加了e VD的位能，从而使P区的能带相对N区提高了e VD ，同时e VD =Efc-Efv。 图中能带倾斜部分直接表明空间电荷区中电位的变化。;图5．8 PN结的能带结构 (a)由电子占据的能带； (b)热平衡状态下PN结的能带； (c)PN结加上正向电压时的能带。 ; 图5.8(c)示出PN结上加正向电压时的能带图，正向电压V削弱了原来的自建场，使势垒降低。若N区能带保持不变，则P区的能带下移，下降