六章节 pn结.pptVIP

;据统计：半导体器件主要有67种，另外 还有110个相关的变种 所有这些器件都由少数基本模块构成： pn结 金属－半导体接触 MOS结构 异质结 超晶格;1 p-n 结的形成和杂质分布;pn结二极管的制备;;冶金结的位置;理想化的杂质分布近似;2. pn 结的形成过程和电荷再分配;3. pn结热平衡时的能带图;;平衡pn结中的电势和电势能;4. pn结中电场、电势和电荷分布;势垒高度qVbi 势垒宽度xD=xn+xp ; 5.耗尽近似;6.2 pn结电流电压特性;0偏;;2.加正偏电压;正偏时的能带/电路混合图; 3.反向偏置： 势垒高度变高，n型一侧几乎没有电子能越过势垒进入p区，p区一侧有相同数目的电子进入耗尽层扫入n区，形成少子漂移流，同理n区的空穴漂移形成IP，因与少子相关，所以电流很小，又因为少子的漂移与势垒高度无关，所以反向电流与外加电压无关。;反偏时的能带/电路混合图;6.2.1 定性推导;正向偏置下p-n结费米能级;反向偏置下p-n结费米能级;6.2.2 定量求解方案; （4）小注入条件：p区：?npp0 n区：?pnn0 (5) 忽略耗尽区内的产生与复合，即认为电子、空穴通过势垒区所需时间很短，来不及产生与复合，故通过 势垒区的电流为常数。 ;方法步骤： （1）扩散方程 （2）边界条件 （3）求解方程得到少子分布函数表达式 （4）由少子分布函数求出流过pn结的电流 ;6.2.1 定性推导;6.2.1 定性推导;由pn结定律得耗尽层的边界条件;边界条件;欧姆接触边界条件;6.2.3严格推导;p 区;正偏时的过剩少子浓度分布;6.2.3严格推导;6.2.4 结果分析;非对称结中，重掺杂一侧的影响较小，可忽略;（4）载流子电流;（4）载流子浓度;0偏; 讨论题：理想二极管的I-V曲线如何随温度而变化;例题2;热平衡;6.2.4 结果分析;6.3 与理想情况的偏差;耗尽层中载流子的复合和产生;理想电流-电压方程与小注入下Ge p-n结的实验结果符合较好， 与Si和GaAs p-n结的实验结果偏离较大。 实际p-n结的I-V特性： （1）正向电流小时，实验值远大于理论计算值，曲线斜率q/2kT （2）正向电流较大时，理论计算值比实验值大（c段） （3）正向电流更大时，J-V关系不是指数关系，而是线性关系 （4）反向偏压时，实际反向电流比理论计算值大得多，而且 随反向电压的增加略有增加。 ;2、反向偏置的击穿;P+n和n+p突变结，击穿电压随轻掺杂一侧杂质浓度的变化关系图;雪崩击穿和齐纳击穿;齐纳击穿;反向偏置pn结二极管中隧穿过程的示意图;二极管的耗尽层宽度小于10-6cm，轻掺杂一侧的杂质浓度高于1017cm,齐纳过程比较显著，对应的二极管的击穿电压比较小，当VBR6Eg/q,齐纳过程对二极管的击穿电流有明显贡献，当VBR4Eg/q,齐纳过程起主导作用。 雪崩击穿电压随温度升高而增加 齐纳击穿占主导时，击穿电压随温度升高而减小。;p-n结平衡时，势垒区复合中心的产生率等于复合率 （1）反向时，势垒区电场加强，耗尽层中载流子的浓度将会下降低于平衡值，导致耗尽层中电子-空穴的产生，复合中心产生的电子、空穴来不及复合就被强电场扫出势垒区，形成产生电流IG-R, 因此增大了反向电流 IG-R随反向电压增加而增加，总反向电流IR=Is+IG-R 势垒区宽度W随反向偏压的增加而变宽，所以势垒区产生的电流是不饱和的，随反向偏压增加而缓慢地增加。 ;（2）在正向偏压时，耗尽层内的载流子浓度高于其热平衡值，导致耗尽区载流子的复合。而形成正向复合电流IG-R 总的正向电流密度IF= IR-G+IDIFF。 当V小时，IR-G占主要地位（a段）；当V大时，扩散电流占主要地位（b 段） （3）;4正向大注入效应;扩散区内的自建电场的形成，也就使扩散区 内存在一定的电压降Vp和Vn ,这一电压降实际上就使真正落在耗尽区的正向电压V减少为VJ=V-Vp-Vn,从而使正向电流比理想情况下电流小 注入越大，VJ减小得越厉害，其具体计算可得 IF?exp(qV/2kT) ;;在势垒区和扩散区之外的电中性区，实际总存在一定的串联电阻Rs，因此当外加电压加在p-n结之后，会有一定的电压降IRs,所以加在势垒区的电压为V-IRs,从而使p-n结的正向电流比理想情况减小，如果Rs较大，则当电流很大时，IRs=V,这时p-n结的正向I-V特性就近似于线性了。 减小Rs的方法是尽量减小中性区的厚度，外延生长结能比较好地解决此问题。 ;6.3 与理想