第七章MOS场效应晶体管研讨.ppt

微电子器件原理;第七章 MOS场效应晶体管;§7.1 MOSFET基本结构和工作原理;一、MOSFET的基本结构;一、MOSFET的基本结构;;一、MOSFET的基本结构;§7.1 MOSFET基本结构和工作原理;二、MOSFET的基本工作原理;二、MOSFET的基本工作原理;二、MOSFET的基本工作原理;二、MOSFET的基本工作原理;三、MOSFET的分类;§7.2 MOSFET的阈值电压;§7.2 MOSFET的阈值电压;§7.2 MOSFET的阈值电压;§7.2 MOSFET的阈值电压;§7.2 MOSFET的阈值电压;§7.2 MOSFET的阈值电压;§7.2 MOSFET的阈值电压;;§7.2 MOSFET的阈值电压;§7.2 MOSFET的阈值电压;§7.2 MOSFET的阈值电压;;§7.2 MOSFET的阈值电压;§7.2 MOSFET的阈值电压;§7.2 MOSFET的阈值电压;每2个数量级约0.1V（eV);金属与半导体的功函数（修正功函数）各不相同，当它们形成MOS结构时，为满足热平衡时费米能级处处相等的要求，将在半导体表面引起能带弯曲;为消除功函数差引起的能带弯曲以使硅中无电场，所需“另加的”栅压就是功函数差（修正功函数差）对应的电压——平带电压（中的Vms);符号问题;;§7.2 MOSFET的阈值电压;§7.2 MOSFET的阈值电压;衬底杂质浓度越大，其变化对VT的影响越大，是因为杂质浓度越大，越不易达到表面强反型;衬底反偏VBS通过NA(ND) 影响QBmax，从而改变VT;1.偏置电压的影响 2.栅电容Cox 3.功函数差Φms 4.衬底杂质浓度的影响 5.氧化膜中电荷的影响;1.偏置电压的影响 2.栅电容Cox 3.功函数差Φms 4.衬底杂质浓度的影响 5.氧化膜中电荷的影响;§7.2 MOSFET的阈值电压;固定氧化物电荷;;上述4种电荷的作用统归于Qox——等效电荷 电荷本身与半导体表面的距离不同，对表面状态的影响也不同。距离越近，影响越强。故等效为界面处的薄层电荷 由VT、Qox及N的共同作用使器件呈增强型或耗尽型 对n-MOS：Qox若较大，则易为耗尽型。欲得增强型，需控制Qox，并适当提高衬底浓度 对p-MOS：VT总是负值，易为增强型。欲得耗尽型，需采用特殊工艺或结构，如制作p预反型层，或利用Al2O3膜的负电荷效应，制作Al2O3 /SiO2复合栅等。;当NA1015cm-3时，VT基本与NA无关而由Qox决定 当NA1015cm-3时， VT随NA上升明显，且逐渐由负变正 随Qox增大，转变点对应的NA增大 当Qox1012cm-2时，即使NA1017cm-3，仍有VT0 所以，欲获得增强型(VT0)，可以 提高衬底浓度NA 降低氧化层中电荷量Qox;§7.2 MOSFET的阈值电压;;MOS结构中半导体表面电荷密度与表面势的关系;图7-14 耗尽层及反型层电荷及其总电荷 与表面势的关系曲线;弱反型区dVs/dVGB较大，且近似为常数，而强反型时斜率变得很小，中反型区过渡;图7-16 单位面积反型层电荷与栅-衬底电压的关系 ;§7.3 MOSFET的I-V特性和直流特性曲线;§7.3 MOSFET的I-V特性和直流特性曲线;x;图7-17 n沟MOSFET结构(a)及电荷分布(b)示意图;假设：;计算：;此时，场感应结耗尽层中（电离受主）电荷面密度;n沟MOSFET基本I-V方程; 因为，当VDS很小时，沟道压降影响甚微，沟道中各处电子浓度近似相同，整个沟道近似为一个欧姆电阻，其阻值为：;VDS;;关于绝缘层中的电场Eox： 在源端y=0，tox两侧压降Vox为VGS(VT)，Eox由栅极指向源极 随y增大，V(y)，tox两侧压降为VGS-V(y), Eox由栅极指向沟道区 在夹断点，V(y)=VGS-VT(VDsat)， tox两侧压降为VT， Eox由栅极指向沟道区 在夹断点漏端侧某处V(y)=VGS，Vox=0， Eox=0 对于耗尽型nMOSFET，VT0，VDsatVGS，则在夹断点源端侧有Eox=0;曾经假设沟道载流子迁移率为常数 实际上，由于Ex的散射，以及半导体表面存在更多的缺陷和其它散射中心，使沟道载流子迁移率比体内的迁移率低得多 另外，迁移率的变化与垂直方向场强Ex密切相关;亚阈值电流 ：VGSVT时，器件处于弱反型状态的漏极电流 从转移特性曲线可以看出：强反型导电到亚阈值导电是连续过渡的。; 无论长沟或短沟MOSFET，ID并不在VGS＝VT时突然截止，VGSVT时仍有微（较）小电流从漏极流向源极，这个电流被称为亚阈值电流或次开启电流，通常用IDsub表示。