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直流反应磁控溅射制备的Mo掺杂TiO2薄膜的光电特性
物理化学学报(Wuli Huaxue Xuebao)
February Acta Phys. -Chim. Sin. 2012, 28 (2), 381-386 381
[Article] doi: 10.3866/PKU.WHXB201112123
直流反应磁控溅射制备的Mo掺杂TiO2薄膜的光电特性
颜秉熙 1 罗胜耘 1,2 沈 杰 1,*
(1复旦大学材料科学系, 上海 200433; 2贵州民族学院理学院, 贵阳 550025)
摘要: 通过直流反应磁控溅射制备了不同 Mo 掺杂量的 Mo-TiO2 薄膜. 用原子力显微镜(AFM)、X 射线衍射
(XRD)仪、X 射线光电子能谱(XPS)仪、紫外-可见(UV-Vis)分光光度计详细研究了 Mo 掺杂量对薄膜表面形貌、
晶体结构、元素价态及吸收带边的影响. 用瞬态光电流和循环伏安法考察了不同 Mo 含量 ITO/Mo-TiO2 电极的
6+ 5+
光电特性. 结果表明: 在 TiO2 薄膜中掺入的 Mo 以 Mo 和 Mo 两种价态存在; 随着 Mo 掺杂量的增加, Mo-TiO2
薄膜的晶粒尺寸逐渐减小, 晶格畸变增大, 吸收阈值显著红移; 薄膜的禁带宽度先减小后增大, 在 Mo 掺杂量为
2.7% (n(Mo)/n(Ti))时禁带宽度最小; Mo掺杂量为0.9%的样品在氙灯下的光生电流最大, 且随着所加阳极偏压
的提高光生电流并未呈现出饱和的趋势. 此后随着掺杂量的提高, 薄膜的光生电流开始下降, 当 Mo 掺杂量达
到 3.6%时, 薄膜的光电流小于未掺杂的样品; 说明适当浓度的 Mo 掺杂能够提高 Mo-TiO2 薄膜光电性能, 光生
电流最大可达未掺杂的2.4倍.
关键词: 光生电流; 循环伏安; 直流反应磁控溅射; 二氧化钛薄膜; 钼掺杂
中图分类号: O644
Photoelectric Properties of Mo Doped TiO2 Thin Films Deposited by DC
Reactive Magnetron Sputtering
YAN Bing-Xi1 LUO Sheng-Yun1,2 SHEN Jie1,*
(1Department of Materials Science, Fudan University, Shanghai 200433, P. R. China; 2College of Science, Guizhou University for
Nationalities, Guiyang 550025, P. R. China)
Abstract:
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