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集成电路工艺原理;上节课主要内容;大纲 （2）;一、衬底材料的类型 元素半导体 Si、Ge…. 2. 化合物半导体 GaAs、SiC 、GaN… ;二、对衬底材料的要求 ;Si： 含量丰富，占地壳重量25%； 单晶Si 生长工艺简单，目前直径最大18英吋（450mm） 氧化特性好， Si/SiO2界面性能理想，可做掩蔽膜、钝化膜、介质隔离、绝缘栅等介质材料； 易于实现平面工艺技术；;Ge： 漏电流大，禁带宽度窄，仅0.66eV(Si:1.1eV)； 工作温度低，75℃（Si:150℃）； GeO2易水解（SiO2稳定）； 本征电阻率低：47 ?·cm（Si: 2.3x105 ?·cm）； 成本高。;Si 的基本特性: FCC 金刚石结构，晶格常数a=5.431 ? 间接带隙半导体， 禁带宽度 Eg=1.12eV 相对介电常数， ?r=11.9 熔点： 1417oC 原子密度： 5x1022 cm-3 本征载流子浓度：ni=1.45x1010 cm-3 本征电阻率 ?=2.3x105 ?·cm 电子迁移率 ?e=1500 cm2/Vs, 空穴迁移率?h=450 cm2/Vs ;三、起始材料--石英岩（高纯度硅砂--SiO2） ;单晶制备;拉晶过程;收颈 指在引晶后略为降低温度，提高拉速，拉一段直径比籽晶细的部 分。其目的是排除接触不良引起的多晶和尽量