04模拟电子技术第章_2017.pptVIP

4.1结型场效应晶体管 4.2MOS场效应晶体管 场效应管 场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS~ iD) ，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。 BJT是一种电流控制元件(iB~ iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。 结构与符号 工作原理与特性曲线 主要参数 JFET的模型 4.1 JFET JFET分为： N沟道 P沟道 箭头：PN 一、 结构与符号 三极：G、S、D 　　在漏极和源极之间加上电压，N 型半导体中多数载流子电子可以导电。 N 沟道结型场效应管结构图 P 沟道场效应管 P 沟道场效应管是在 P 型硅棒的两侧做成高掺杂的 N 型区(N+)，导电沟道为 P 型，多数载流子为空穴。 工作原理 1．VGS控制沟道宽窄 （夹断电压) PN结反偏 二、 工作原理与特性曲线 2．VDS控制沟道形状 宽 窄 P沟道 工作原理 1．VGS控制沟道宽窄 预夹断 楔形沟道 电位梯度 PN结反偏 二、 工作原理与特性曲线 2．VDS控制沟道形状 N沟道 1. 当UDS