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电子技术 ;半导体的导电特性 ;;;;;硅和锗的共价键结构; 辐射方法 ; 几个概念;;;;结论;;;PN结的形成;;;扩散和漂移的动态平衡形成PN结;几个重要概念:
① 扩散运动 —— 多子因浓度差而引起的运动称为扩散运动。
② 漂移运动 ——空间电荷区在内部形成电场的作用下,少子会定向运动产生漂移。; ③ 空间电荷区 —— 在PN结的交界面附近,由于扩散运动使电子与空穴复合,在P 区和N区分别出现了由不能移动的带电离子构成的区域,这就是空间电荷区。
④ 内部电场——由空间电荷区将形成由N区指向P区的电场E,这一内部电场的作用是阻挡多子的扩散,加速少子的漂移。
;PN结的单向导电性--PN结外加电压情形;给PN结加反向电压,即外电源的正端接N区,负端接P区,则外电场与内电场方向一致,也破坏了扩散与漂移运动的平衡。
外电场驱使空间电荷区两侧的空穴???自由电子移走,使得空间电荷增加,空间电荷区变宽,内电场增强,使多数载流子的扩散运动难以进行。
但另一方面,内电场的增强也加强了少数裁流于的漂移运动,在外电场的作用下,N区中的空穴越过PN结进入P区, P区中的自由电子越过PN结进入N区,在电路中形成了反向电流。;由于少数载流子数量很少,因此反向电流不大,即PN结呈现的反向电阻很高。
又因为少数载流子是由于价电子获得热能(热激发)挣脱共价键的束缚而产生的,环境温度愈高,少数载流子的数目愈多。所以温度对反向电流的影响很大。;PN结的反向击穿问题;;;;;正向导通区和反向截止区;二极管的主要参数;二极管的应用---整流作用;二极管的应用--限幅;§1.4 电子器件 ;§1.4 电子器件 ;§1.4 电子器件 ;§1.4 电子器件 ;§1.4 电子器件 ;§1.4 电子器件 ;§1.4 电子器件 ;§1.4 电子器件 ;§1.4 电子器件 ;§1.4 电子器件 ;§1.4 电子器件 ;§1.4 电子器件 ;§1.4 电子器件 ;§1.4 电子器件 ;§1.4 电子器件 ;§1.4 电子器件 ;§1.4 电子器件 ;§1.4 电子器件 ;§1.4 电子器件 ;郁金香
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