PdSin(n=1~5)原子簇结构的理论研究.PDF

2 2 2 3 2 ! ! ! ! 2 ! 第 29 卷第 1 期 辽宁师范大学学报 (自然科学版) Vol. 29 　No. 1 　　　　　 　　　　　 2006 年 3 月 Journal of Liaoning Normal University (Natural Science Edition) Mar. 　2006 　　文章编号 :1000 1735 (2006) 01 0072 05 PdSi n ( n = 1～5) 原子簇结构的理论研究 官文佳 , 　马 　琳 , 　孙仁安 , 　阎 　杰 (辽宁师范大学 化学化工学院 ,辽宁 大连 　116029) 2 2 摘 　要 :利用密度泛涵理论 B3L YP 方法 , 在 LanL2DZ 水平上对 PdSi n ( n = 1～5) 原子簇进行理论探讨 ,分别在多重 度为 1 、3 、5 情况下2,优化计算得到其稳定构型 , 对其中较稳定且对称性好的原子簇在能量、稳定性、自然键轨道等方 2 面进行了讨论 ,发现在所讨论的 PdSi n ( n = 1～5) 原子簇中 , n = 3 即 PdSi3 原子簇最稳定 ; NBO 分析计算表明 ,Pd 原子 的 4d 电子在成键过程中起重要的作用. 3 关键词 :原子簇 ;密度泛涵理论 ;NBO 分析 中图分类号 :O641 　　　文献标识码 :A 元素周期表中 ⅣA 元素大多具有特别的电子结构和重要的应用价值. 而硅作为 1 种重要的半导体 材料和地球上矿物界的主要元素 ,其形成的原子簇引起了科学家的极大兴趣. 研究者在对纯的 Si n 原子 [1 4 ] [ 5 ] 簇进行理论和实验研究的同时 ,也对含有杂原子的 Si n 原子簇进行了研究. Siqing Wei 等对 Si n Na ( n = 1～7) 原子簇进行了理论研究 ,得出含杂硅原子簇的结构、稳定性等重要结论. 由于过渡金属元素中 含有 d 电子 ,因而其形成的原子簇具有特殊的电子结构及物理化学性质 ,从而也引起了人们极大的关 注. 近几年来 ,在实验或理论方面 , 过渡金属与 ⅣA 原子形成的原子簇成为人们关注的焦点. 本文的主要工作是对 PdSi n ( n = 1～5) 进行量子化学理论计算 ,在 B3L YP/ LanL2DZ 水平上研究 PdSi n ( n = 1～5) 的各种可能稳定构型 ,通过能量比较得到其相对稳定且对称性较好的构型 ,并对原子簇 电子结构以及原子簇性质随其体积增大的变化规律进行分析 ,为含杂硅原子簇的合成及应用提供必要 的理论依据. 1 　计算方法 [6 ]