第一章半导体材料的基本性质1.ppt

半导体物理与器件;第1章 半导体材料的基本性质 ;1.1 半导体与基本晶体结构1.1.1 半导体; 1.杂质敏感性 2.负温度系数 3.光敏性 4.电场、磁场效应 ;晶体结构是指原子在三维空间中周期性排列着的单晶体。 晶胞：单晶体结构可以用任意一个最基本的单元所代表，称这个最基本的单元叫晶胞。 晶格：单晶体是由晶胞在三维空间周期性重复排列而成，整个晶体就像网格一样，称为晶格。 格点与点阵，组成晶体的原子重心所在的位置称为格点，格点的总体称点阵。;3种常见的立方晶体的晶胞 a）简单立方 b）体心立方 c）面心立方;金刚石结构的晶胞与平面示意图 a）金刚石型结构的晶胞 b）硅晶体的平面结构示意图;金刚石型结构 a）正四面体 b）结构;1.1.4晶面及其表示方法;1.1.5 半导体材料简介;1.2半导体的能带1.2.1 孤立原子中电子能级;1.2.2 晶体中电子的能带;2.晶体中电子能带的形成 ;1.2.3 硅晶体能带的形成过程;1.2.4 能带图的意义及简化表示;半导体能带简化表示 a）能带简化表示 b） 能带最简化表示;1.3 本征半导体与本征载流子浓度1.3.1 本征半导体的导电结构;本征半导体导带电子和价带空穴均能在外加电场作用下,产生定向运动形成电流,把上述两种荷载电流的粒子称为半导体的两种载流子. 导带电子浓度和价带空穴浓度永远相等,这是本征半导体导电机构的一个重要特点.;1.3.2 热平衡状态与热平衡载流子浓度;1.3.3 本征载流子浓度; 式中N(E)称为能态密度,在单位体积晶体中,允许的能态密度表达式为;式中mn代表电子的有效质量;mp代表空穴的有效质量. 电子占据能量为E的机率函数称为费米分布函数,其表达式为 k为玻尔兹曼常数;T为热力学温度;EF是费米能级. 可以用曲线把费米分布函数式表示出来. ; 不同温度下费米分布函数随(E-EF)的变化关系;下图从左到右形象描绘出了能级分布,费米分布及本征半导体与空穴在能带中的分布情况. ;1.费米能级 费米能级在能带中所处的位置,直接决定半导体电子和空穴浓度. 费米能级的位置;2.两种载流子浓度的乘积 由上式可以看出,随温度的升高.半导体np乘积的数值是要增大的. 利用本征半导体电子和空穴浓度的关系可以得到 因此半导体两种载流子浓度的乘积等于它的本征载流子浓度的平方.;3.本征载流子浓度与本征费米能级 右图为 Si和GaAs中本征载流子浓度与温度倒数间的关系;1.4 杂质半导体与杂质半导体的载流子浓度1.4.1 N型半导体与P型半导体;硅中的施主杂质和受主杂质 a）硅中掺入磷原子 b）硅中掺入硼原子;1.4.2 施主与受主杂质能级;1.4.3 杂质半导体的载流子浓度;对于N型半导体，其少数载流子的浓度p为;1.4.4 杂质半导体的费米能级及其与杂质浓度的关系;1.4.5 杂质半导体随温度的变化;伴随着温度的升高，半导体的费米能级也相应地发生变化;Si、GaAs的费米能级随温度变化曲线 a）Si b）GaAs;1.5 非平衡载流子;1.5.1 非平衡载流子的产生;1.5.2 非平衡载流子的寿命;1.5.3 非平衡载流子的复合类型;1.5.4 准费米等级;N型半导体小注入前后准费米能级偏离费米能级的程度 a）小注入前 b）小注入后;1.6载流子的漂移运动;1.6.1 载流子的热运动与漂移运动 ;随机热运动的结果是没有电荷迁移，不能形成电流。 引入两个概念： 大量载流子碰撞间存在一个路程的平均值，称为平均自由程，用λ表示，其典型值为10-5cm； 两次碰撞间的平均时间称为平均自由时间，用τ表示,约为1ps； 建立了上述随机热运动的图像后，就可以比较实际地去分析载流子在外加电场作用下的运动了。; 外加电场E施加于半导体上时，每一个电子在电场力F=-qE的作用下，沿着电场的反方向在相继两次碰撞之间做加速运动，其加速度可表示为 对于价带空穴同样有 式中，mn ，mp为电子空穴的有效质量。;需要说明的是这个加速度不能累积，每次碰撞之后，这个定向漂移运动的初始速度下降为零。也就是说，载流子在电场作用下的加速度只有在两次散射间存在。 随机热运动和漂移运动的合成使载流子产生了净位移。 对于等加速度运动来说，经过平均自由时间τ之后的平均漂移速度应为 对电子 对于空穴;1.6.2 迁移率μ;左图是硅中电子，空穴迁移率随杂质浓度的变化 N型硅中电子和空穴的迁移率 P型硅中电子和空穴的迁移率;载流子的迁移率还要随温度而变化。;1.6.3 半导体样品中的漂移电流密度;同样可求得空穴的漂移电流密度为 所以总的漂移电流密度是 对于N型半导体，特别是强N型半导体，由于np，式