第三章通信用光器件2.ppt

3.2 光检测器; 在耗尽层两侧是没有电场的中性区，由于热运动，部分光生电子和空穴通过扩散运动可能进入耗尽层，然后在电场作用下， 形成和漂移电流相同方向的扩散电流。 漂移电流分量和扩散电流分量的总和即为光生电流。当与P层和N层连接的电路开路时，便在两端产生电动势，这种效应称为光电效应。 ; 当连接的电路闭合时，N区过剩的电子通过外部电路流向P区。同样，P区的空穴流向N区， 便形成了光生电流。 当入射光变化时，光生电流随之作线性变化，从而把光信号转换成电信号。 这种由PN结构成，在入射光作用下，由于受激吸收过程产生的电子 - 空穴对的运动，在闭合电路中形成光生电流的器件，就是简单的光电二极管(PD)。 ; 如图3.19(b)所示，光电二极管通常要施加适当的反向偏压，目的是增加耗尽层的宽度，缩小耗尽层两侧中性区的宽度，从而减小光生电流中的扩散分量。;; 由于载流子扩散运动比漂移运动慢得多，所以减小扩散分量的比例便可显著提高响应速度。但是提高反向偏压，加宽耗尽层，又会增加载流子漂移的渡越时间， 使响应速度减慢。 为了解决这一矛盾， 就需要改进PN结光电二极管的结构。 ; 3.2.2 PIN 光电二极管 PIN光电二极管的产生 由于PN结耗尽层只有几微米，大部分入射光被中性区吸收， 因而光电转换效率低，响应速度慢。 为改善器件的特性，在PN结中间设置一层掺杂浓度很低的本征半导体(称为I)，这种结构便是常用的PIN光电二极管。 ; PIN光电二极管的工作原理和结构见图3.20和图3.21。;图3. 21 PIN光电二极管结构; 中间的I层是N型掺杂浓度很低的本征半导体，用Π(N)表示；两侧是掺杂浓度很高的P型和N型半导体，用P+和N+表示。 I层很厚， 吸收系数很小，入射光很容易进入材料内部被充分吸收而产生大量电子 - 空穴对，因而大幅度提高了光电转换效率。; 两侧P+层和N+层很薄，吸收入射光的比例很小，I层几乎占据整个耗尽层， 因而光生电流中漂移分量占支配地位，从而大大提高了响应速度。 另外，可通过控制耗尽层的宽度w，来改???器件的响应速度。 ;PIN光电二极管具有如下主要特性：  (一) 量子效率和光谱特性。 (1) 光电转换效率用量子效率η或响应度ρ表示。量子效率η的定义为一次光生电子 -空穴对和入射光子数的比值; 响应度的定义为一次光生电流IP和入射光功率P0的比值 ; （2） 量子效率的光谱特性取决于半导体材料的吸收光谱α(λ)，对长波长的限制由式(3.6)确定，即λc= hc /Eg。 图3.22示出量子效率η和响应度ρ的光谱特性，由图可见，Si 适用于0.8~0.9μm波段，Ge 和InGaAs 适用于1.3~1.6 μm波段。响应度一般为0.5~0.6 (A/W)。 ;图3-22 PIN光电二极管响应度、 量子效应率 与波长 的关系; (二) 响应时间和频率特性。 光电二极管对高速调制光信号的响应能力用脉冲响应时间τ或截止频率fc(带宽B)表示。 对于数字脉冲调制信号，把光生电流脉冲前沿由最大幅度的10%上升到90%，或后沿由90%下降到10%的时间，分别定义为脉冲上升时间τr和脉冲下降时间τf。; 当光电二极管具有单一时间常数τ0时，其脉冲前沿和脉冲后沿相同，且接近指数函数exp(t/τ0)和exp(-t/τ0)，由此得到脉冲响应时间 τ=τr=τf=2.2τ0 (3.16);（3.17）;(3.18);图3.23 内量子效率和带宽的关系; ; (三) 噪声。 噪声影响光接收机的灵敏度。 噪声包括散粒噪声(Shot Noise)(由信号电流和暗电流产生) 热噪声(由负载电阻和后继放大器输入电阻产生) （ 1 ）均方散粒噪声电流 〈 i2sh〉=2e(IP+Id)B (3.22) e为电子电荷，B为放大器带宽，IP和Id分别为信号电流和暗电流。 ; 2eIPB 称为量子噪声(由于入射光子和所形成的电子-空穴对都具有离散性和随机性而产生)  2eIdB是暗电流产生的噪声。