离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究.PDFVIP

　第 19卷第 5期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 V ol. 19, No . 5　 　 1998年 5月　　　　 　　 CHIN ESE JO U RN A L O F SEM ICO N DU CTO RS　　　　　 　 M a y, 1998　 离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究 雷红兵　杨沁清　王启明 (集成光电子国家重点实验室　中国科学院半导体研究所　北京　 100083) 周必忠　　肖方方 (厦门大学物理系　厦门　 361005) 吴名枋 (北京大学技术物理系　北京　 100871) 摘要　本文 详细地分析了离 子注入掺 铒硅的光致 发光谱 ,有 5个发 光峰分别位 于 1. 536μm 、 1. 554μm 、 1. 570μm 、 1. 598μ