1.1半导体的主要特征选读.ppt

1.1 半导体的主要特征;　1.1.1 本征半导体;+14;平面结构;+4;+4;本征激发产生电子和空穴;电子空穴成对产生;+4;+4;动画10; 本征激发使空穴和自由电子成对产生。;在外电场作用下;电子运动形成电子电流;+4;+4;+4;+4;+4;动画19;(1) 在半导体中有两种载流子;1.1.2N型半导体和P型半导体 ;+4;+4;多出一个电子;+;动画26;c. 电子是多数载流子，简称多子;空穴是少数载流 子，简称少子。;(2) P型半导体 ;+4;出现了一个空位;+4;-;动画33;c. 空穴是多数载流子,电子是少数载流子。;当掺入三价元素的密度大于五价元素的密度时，可将N型转为P型；;说明：; 在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为 PN 结。 ; 物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、固体均有之。;PN 结的形成;PN结加正向电压导通： 耗尽层变???，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态。;扩散与漂移的动态平衡;　耗尽层;　　 当 PN 结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流， PN 结处于 导通状态； 当 PN 结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零， PN 结处于截止状态。 　　;1.1.4具有特殊性能的半导体器件;A. 热敏电阻;B. 光敏电阻（MG）; 压敏电阻是以氧化锌为主要材料制成的半导体陶瓷元件，电阻值随加在两端电压的变化按非线性特性变化。当加到两端电压不超过某一特定值时，呈高阻抗，流过压敏电阻的电流很小，相当于开路。当电压超过某一值时，其电阻急骤减小，流过电阻的电流急剧增大。 压敏电阻在电子和电气线路中得到较多的应用，主要用于过压保护和用来作为稳压元件。 其符号为： ; 磁敏电阻器是采用砷化铟或锑化铟等材料，根据半导体的磁阻效应制成的，阻值随穿过它的磁通量增大而增大。 它是一种对磁场敏感的半导体元件，可以将磁感应信号转变为电信号。 主要用于测磁场强度、磁卡文字识别、磁电编码、交直流变换。 其符号为：