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功能转换材料;压电材料;压电效应的机理 结构上不具有对称中心的电介质在外压力作用下，正负电荷重心不重合，在晶体表面产生异号束缚电荷，出现压电效应。;压电材料;压电半导体 CdS，CdSe，ZnO，ZnS，ZnTe，CdTe等，GaAs，GaSb，InAs，InSb，AlN等。 压电陶瓷 BaTiO3；Pb(ZrxTi1-x)O3，PZT；PbTiO3 压电材料的应用 高强度超声波，压电点火器;热释电材料;热释电材料;热释电陶瓷 PbTiO3，PbZr1-xTiO3(PZT)及改性物 有机高聚物晶体 聚偏二氟乙烯 PVDF 热释电材料的应用 热释电传感器，红外成像焦平面 ;电介质、压电体、热释电体和铁电体的关系;电光材料;电光材料的种类;闪锌矿AB型晶体 ZnS，CdS，GaAs和CuCl等。 乌青铜型晶体 Sr0.75Ba0.25Nb2O6(SBN)，K3Li2Nb5O15(KLN)，Ba2NbO15(BNN)等;电光材料的应用 电光快门 电光调制器 电光偏转器;磁光材料p336;磁光效应;科顿-蒙顿效应 在强磁场作用下，光的传播方向与磁??垂直时，一些各向同性的透明磁介质呈现双折射的现象，又称磁致双折射效应。 ;磁光材料的种类;热电材料;塞贝克效应 由两种导体构成的电路开路时，如果接点1、2分别保持在不同温度T1(低温)和T2(高温)下，则回路中将产生电动势基热电势。这种现象称为塞贝克效应。其热电势正比于接点温度T1和T2之差，即 比例系数a(T)称为塞贝克系数。;珀尔帖效应 两种不同导体A、B构成回路，接电源。则一个接点吸热，另一个放热，该现象称为帕尔贴效应。实质上是塞贝克效应的逆效应。产生的热量W表示为 ;汤姆逊效应 在由一种导体构成的回路中，如果存在温度梯度 ，则当电流I通过时，导体中也将出现可逆的热效应，即产生热的现象。其热效应的大小与电流I，温度梯度和通电流的时间 成正比，即 比例系数 称为汤姆逊系数 。 金属流过电流，棒吸热，电流反向时放热。称为汤姆逊效应。;热电材料的种类;金属及合金热电材料 非贵金属热电偶材料有镍铬-镍铝、镍铬-镍硅、铁-康铜和铜-康铜等。 贵金属热电偶材料最常用的铂-铂铑、铱-铱铑等。 低温热电偶材料常用铜-康铜、铁-镍铬、铁-康铜即金铁-镍铬等。 ;半导体热电材料 典型半导体热点材料有Bi2Te3(~200 oC)、Bi2Se3、Sb2Te3，PbTe(~500 oC)，FeSi2(~1000 oC)等。 其它热电材料 MnSi2，CrSi2 ;热电导材料;热电导材料的种类;正温度系数PTC热敏电阻材料 主要为掺杂半导体陶瓷，BaTiO3陶瓷是主要的PTC热敏电阻陶瓷，以及BaTiO3的掺杂物。 负温度系数NTC热敏电阻材料 尖晶石型过渡金属氧化物半导体陶瓷，主要是含锰二元系和含锰三元系氧化物。 临界温度电阻CTR材料 主要是以V2O5为基础的半导体陶瓷材料。常掺杂MgO，CaO、B2O3、La2O3等。;声光材料p370;;声光效应的两种形式 光波被超声波光栅衍射时，有两种情况，一种是外加超声波频率较低时产生的拉曼-纳斯衍射。一种是外加的超声波频率较高时产生的布拉格衍射。 声光材料的种类 声光材料可分为玻璃和晶体材料两大类。;;声光材料的应用 声光材料的应用主要借助于声光衍射，基本功能包括强度调制、偏转方向调控，光频移动、光频滤波四类。;光电材料p361;当光照射到半导体材料时，材料电子吸收光子的能量，使非传导态电子变为传导态电子，引起载流子浓度增大，因而导致材料电导率增大。 光电导效应的本质：在光线作用下，对于半导体材料吸收了入射光子能量， 若光子能量大于或等于半导体材料的禁带宽度， 就激发出电子-空穴对，使载流子浓度增加，半导体的导电性增加，阻值减低。 ;光电导材料的主要特性 反映光电导材料主要特性的参量包括积分灵敏度、长波限、光谱灵敏度及灵敏阈。 积分灵敏度 积分灵敏度S代表了光电导产生的灵敏度，即单位光入射通量产生的电导率变化的大小。可定义为： σ是材料的电导率，Φ为入射光通量。 ;长波限 并非任何波长的光都能引起材料电导率的变化，产生光电导的波长上限称为长波限或红限。 光谱灵敏度 又称光谱响应度，用δ-λ曲线表示，它反映光电导材料对不同波长光的响应。 灵敏阈 表示能够测出光电导材料产生光电导的最小光辐射量。;光电导材料的种类和应用 按组成不同分为光电导半导体材料、光电导高分子材料和光电导陶瓷等三类。 半导体材料 Ge、Si、ZnO、PbO、CdS、CdTe、CdSe、PbS、PbSe、PbTe以及Sb2S3、InSb等。;光电动势材料 光电动势材料是能够产生光生伏特效应的材料，主要指光电池材料。 光生伏特效