半导体物理第6章教材.ppt

第六章 pn结;半导体二极管; 发光二极管;光电池;光电二极管;由于pn结是很多半导体器件如结型晶体管、集成电路等的心脏，了解和掌握pn结的性质具有很重要的实际意义。; pn结的重要性质 电流电压特性 电容效应 击穿效应; 6.1.1 pn结的形成和杂质分布;常用的方法;The simplest method of producing an oxide layer consists of heating a silicon wafer in an oxidizing atmosphere.;pn结的杂质分布;pn结的杂质分布;6.1.2 空间电荷区;阻止多子扩散;① 多子扩散运动形成空间电荷区;; ② 内电场阻止多子扩散，促使少子漂移;小结： PN结中同时存在多子的扩散运动和;6.1.3 pn结能带图;平衡pn结能带图;;p、n型半导体的能带;势垒区; 利用爱因斯坦关系 因为 所以 ; 则 而本征费米能级的变化与电子电势能的变化一致，所以; 带入上式得 或;同理可得 或 表示了费米能级随位置的变化和电流密度的关系 ;对于平衡pn结，电子电流和空穴电流均为0，因此 当电流密度一定的时候，载流子浓度大的地方，EF随位置变化小； 载流子浓度小的地方，EF随位置变化大。;6.1.4 pn结接触电势差;两式相除取对数得 因为 所以;VD与pn结两边的掺杂浓度、温度和材料的禁带宽度有关。 掺杂浓度越大，VD越大 禁带宽度越大，VD越大 室温下硅的VD＝0.7V，锗的VD＝0.32V。;6.1.5 pn结的载流子分布;令 则上式变为;因为E(x) = -qV(x) 而Ecn= -qVD，所以 ;当x=xn，V(x)=VD，所以 当x=-xp，V(x)=0，所以p区平衡少数载流子浓度为 ;同理，可以求得x点处的空穴浓度为 当x=xn，V(x)=VD，所以 ;当x=-xp，V(x)=0，所以p区平衡多数载流子浓度为 或 载流子在势垒两边的浓度关系服从玻尔兹曼分布。;;利用上述公式计算电势能比n区导带底高0.1eV的点x处的载流子浓度，假设势垒高度为0.7eV，则 载流子浓度比n区和p区的多数载流子浓度小得多,因此势垒区也称为耗尽区。;6.2.1非平衡态下的pn结; 外加电场与内电场方向相反，内电场削弱，扩散运动大大超过漂移运动，N区电子不断扩散到P区，P区空穴不断扩散到N区，形成较大的正向电流，这时称PN结处于导通状态。;;;非平衡载流子的电注入;;外加电场与内电场方向相同，增强了内电场，多子扩散难以进行，少子在电场作用下形成反向电流，因为是少子漂移运动产生的，反向电流很小，这时称PN结处于截止状态。;;;非平衡p–n结的能带图;6.2.2 理想pn结模型及其电流电压方程;;计算电流密度方法 根据准费米能级计算势垒区边界nn’和pp’处注入的非平衡少数载流子浓度 以边界nn’和pp’处注入的非平衡少数载流子浓度作为边界条件，解扩散区中载流子连续性方程，得到扩散区中非平衡少数载流子的分布 将非平衡载流子的浓度代入扩散方程，算出扩散流密度，再算出少数载流子的电流密度 将两种载流子的扩散密度相加，得到理想pn结模型的电流电压方程式;p区载流子浓度与准费米能级的关系 ;pp’处，x=-xp，EFn-EFp=qV，因而 因为 ;正向偏压时，EnF EpF;反向偏压时，EpF EnF;q(VD－V) ;反向偏置p-n结;电子扩散区 电子从n区通过势垒到p区边界形成电子积累，浓度比p区内部少子高，所以继续向p区内部扩散。经过比扩散长度大若干倍的距离后，全部被复合，这一段区域称为电子扩散区。 空穴扩散区 从n区边界向n区内部的若干倍扩散长度区域，称为空穴扩散区。;代入可得 由此注入p区边界pp’处的非平衡少数载流子浓度为;同理可得注入n区边界nn’处的非平衡少数载流子浓度为 可见注入势垒区边界pp’和nn’处的非平衡少数载流子是外加电压的函数。 以上两式为解连续性方程的边界条件。;在稳态时，空穴扩散区中非平衡少子的连续性方程 小注入条件下，电场变化项可以忽略，n扩散区|Ex|=0，故 ;根据边界条件 可求得 ;同理可得 小注入条件下，x=xn处，空穴的扩散电流密度 ;同理，x=-xp处，电子的扩散电流密度 若忽略势垒区的产生-复合作用，通过pn结的总电流密度为 ;代入可得 令 ;理想pn结模型的电流电压方程式 肖克莱方程式 ;;;1.pn结具有单向导电性 正向偏压下，电流密度随电压指数增加，方程可表示为 反向偏压下 ;p-n结具有单向导电性或整流效应。 在正向偏压下，正向电流密度随着正向偏压呈指数关系迅速增大。 在反向偏压下，J=-Js，即反向电流密度是常量，与外加电压无关