半导体概论期末报告.doc

半導體概論期末報告 Ｎ井ＣＭＯＳ 班級：光電一甲 指導老師：吳坤憲 ４９９Ｌ０００２阮健偉 ４９９Ｌ００４６顏福緣 ４９９Ｌ００５４高　源 ４９９Ｌ００６０林承儒 ４９９Ｌ００７５李志文 ４９９Ｌ００８２廖坤成 ４９９Ｌ０１０８郭育維 微影製程步驟 光阻 主要由樹脂(resin)，感光劑(sensitizer)，溶劑(solvant)三種成分混合而成。 HYPERLINK /question/question?qid=1507071703145 \o 正光正光阻劑（Positive Resist)：曝光程序中所用的光使光阻劑變軟或分解。 負光阻劑（ Negative Resist）：經過曝光，光阻劑變硬或高分子化。 光阻是一種可感光的HYPERLINK /question/question?qid=1507071703145 \o 高分子材料高分子材料﹐一般可分成正光阻和負光阻﹐就像照相用的正片和負片。當光照到正光阻﹐會讓光阻材料不容易溶於HYPERLINK /question/question?qid=1507071703145 \o 顯影劑顯影劑﹐相反地﹐負光阻則容易溶於顯影劑中。 2.晶片清洗： 主要在於清除晶片上之雜質，以利後續之製程。 3.去水烘烤： 晶片表面上常會吸附空氣中的水分子，在後面升溫的過程之中，可能形成薄的負氧化層（negative oxide ），故在晶片清洗完之後，先將晶片上的水分去除，再進行下面的製程。 4.塗底： 在晶片上圖上一層增加光阻與晶片表面附著能力的化 5.上光阻： 通常上光阻是使用旋鍍的方式（spin coating）。 下列幾項因素會影響光阻是否到達所需的旋鍍厚度： (a)開始時滴入光阻液的量 (b)晶片的大小 (c)旋鍍機的轉速與轉加速度 (d)光阻液的性質，如黏滯性及固體粒子的量 (e)所以要慎選光阻液，並配合晶片大小選擇適當的光阻液量，在嘗試調整旋鍍機加速度及等加速度的大小及時間，以達理想的光阻塗佈厚度 6.軟烤： 或稱預烤（pre-bake），其目的有三： (a)是將光阻液中的溶劑含量由 20至 30％降至 4到7%，光阻厚度因此也將減少約 10至 20％ (b)軟烤有回火（annealing )的效果，使光阻平坦化 (c)可增加附著力 軟烤結束後，將光罩與晶片放置在曝光機上，利用對準標誌（ align- mark）將兩者相對位置進行校準，其方法為： (a) 將晶片利用曝光機進行移動或轉動，使晶片的左右對準標誌和光罩的對準標誌盡量重合，即完成對準 (b) 接著按下曝光機上的曝光鍵，可進行曝光工作 7.曝光(曝光機,對準儀,步進機) 軟烤結束後，將光罩與晶片放置在曝光機上，利用對準標誌（align-mark）將兩者相對位置進行校準，其方法為，將晶片利用曝光機進行移動或轉動，使晶片的左右對準標誌，和光罩的對準標誌盡量重合，即完成對準，接著按下曝光機上的曝光鍵，可進行曝光工作． 8.顯影(丙酮):因感光劑在曝光後改變光阻的性質，利用顯影液將要去除的光阻洗掉，完成在光阻上的圖案轉移。 下表為常用的光阻及所對應的顯影液： 光阻顯影液S1813MF319SJR5700MP450AZ5214EAZ300MIFXP SU-8PGMEAPyralin PI2721(Photosensitive Polymide)DE6180Pyralux PC105 Dry resist film?Riston 4600Dry resist film? 9.硬烤： 經過顯影後的光阻，還需要經過最後的步驟--硬烤，通常也是使用熱墊板。硬烤溫度較軟烤溫度來的高，此溫度高於光阻的玻態轉變溫度（galss transition），故光阻將如溶融的玻璃，表面也將因表面張力而平坦化。目的如下： (a)將光阻溶劑含量降至最低 (b)增加附著力，避免遇酸時脫落 (c)增加對酸的抵抗力 (d)使邊緣平滑，減少缺陷，如孔隙 顯影檢查： 此項檢查的目的是找出那些不太可能通過微影最終檢查的晶圓片，提供製程效能和製程控制數據，並找出可重新使用的晶圓片。 10.蝕刻： 當顯影檢查完成時，光罩的影像被轉移在光阻層上，此時晶圓準備進入蝕刻步驟，此步驟中影像才是被永遠的轉移在晶圓的表面層。蝕刻（etch)是將晶圓表面的上層材料由光阻圖案的開孔處移除的製程 乾式蝕刻：以電漿（Plasma）來進行薄膜侵蝕的一種技術，因不溶液，故稱乾式蝕刻。優點：可進行非等向性蝕刻，以離子轟擊晶片表面，不但可在被蝕刻薄膜上進行，也可在光阻上發生。缺點：選擇性的能力較濕式蝕刻差。 濕式蝕刻:利用薄膜與特定溶液間所進行的化學反應，來除去未被光阻覆蓋的薄膜，其優點是製程單純，且產量速度快，屬於等向性蝕刻