第二章光源与光电探测器教程.pptx

光电信息技术;;;;第2章 光源与光电探测器;2.1 光电效应;2.1 光电效应;2.1.1 光电导效应;1. 附加电导率;;;2. 直线性光电导与抛物线性光电导;两种光电导反映着两种简单的复合规律，光电导率的变 化直接体现为Δn和Δp的变化，其值由光生载流子的产 生过程和复合过程的动态平衡过程决定。设I表示以光子数计算的光强，α为吸收系数，β为量子产额（P98）则电子空穴对的产生率为;;3.光电导体的灵敏度;式中， 为光电导两极间距； 为迁移率；U为外加电压电压;;;5.光电导的光谱分布;不同半导体光电导材料，由于有不同的禁带宽度，对应有不同的光谱相应曲线。每一条曲线都有一个峰值，峰值的长波方面曲线迅速下降，这是因为只有光子能量大于材料禁带宽度，才能激发产生电子－空穴对，引起本征光电导。在长波部分，当光子能量小于材料的禁带宽度时，就不足以将电子从价带激发到导带，这时光电导就迅速下降，因此光谱分布存在一长波 限。可以从各条曲线的长波限来确定半导体材料的禁带宽度。; 典型的锗掺金杂质光电导光谱分布曲线。曲线在0.7eV附近陡起明显，表示本征光电导开始。在本征光电导长波限左边，光子能量小于锗禁带宽度（0.68eV）,这时光电导为杂质光电导，当杂质光电导光谱曲线继续向左延伸时，在某一波长的曲线迅速下降，这就是杂质光电导的长波限。 ;常用光电导材料 ;2.1.2 光生伏特效应;在不均匀的半导体中，由于同质的半导体不同的掺杂形 成的P－N结、不同的半导体组成的异质结或金属与半导 体接触形成的肖特基势垒都存在内建电场。当光照这种 晶体时，由于半导体对光的吸收而产生了光生电子和空 穴，它们在内建电场的作用下就会向相反的方向移动和 积聚而产生电位差。;1、由势垒效应产生的光生伏特效应;1、由势垒效应产生的光生伏特效应（P104）;或者光电压;;爱因斯坦（Einstein）定律 ;光电发射的红限;光电发射的瞬时性; 5.金属的光电发射（P107）;6.半导体的光电发射（P107） ;;;;;2.1.4 温差电效应 ;2.1.5 热释电效应;2.5.6 光子牵引效应;由于电子和空穴产生的光牵引电位差符号相反，因此对 本征半导体，这种效应极微弱。要观察光子牵引效应， 必须选用n型半导体或p型半导体。;;§2.2 光电信息技术中常用的光源;§2.2.1 光源的基本特性参数;2. 光谱功率分布 ;§ 2.2.1 光源的基本特性参数;§ 2.2.1 光源的基本特性参数;§ 2.2.1 光源的基本特性参数;§ 2.2.1 光源的基本特性参数;§ 2.2.1 光源的基本特性参数;（2）色温;§ 2.2.1 光源的基本特性参数;§ 2.2.1 光源的基本特性参数;§ 2.2.2 热辐射源;§ 2.2.2 热辐射源;§ 2.2.2 热辐射源;§ 2.2.2 热辐射源;§ 2.2.2 热辐射源;§ 2.2.2 热辐射源;§ 2.2.3 气体放电光源（P177）;§2.3 光电探测器的性能参数与噪声;§2.3.1 光电探测器的性能参数; R V和R I分别称为光电探测器的电压响应度和电流响应度，由于光电探测器的响应度随入射辐射的波长变化而变化，因此又有光谱响应度和积分响应度 ;2. 光谱响应度 ;3.积分响应度;4. 响应时间 ;由于光电探测器信号的产生和消失存在着一个滞后过程，所以入射光辐射的频率对光电探测器的响应将会有较大的影响。光电探测器的响应随入射辐射的调制频率而变化的特性称为频率响应。利用时间常数可得到光电探测器响应度与入射辐射调制频率的关系，其表达式为;;;§ 2.3.1 光电探测器的性能参数;信噪比是判定噪声大小通常使用的参数。它是在负载电阻RL上产生的信号功率与噪声功率之比，即; 它定义为器件在特定带宽内（1Hz）产生的均方根信号电流恰好等于均方根噪声电流值时的输入通量，此时，其他参数，如频率、温度等应加以规定。这个参数是在确定光电探测器件的探测极限（以输入能量为瓦或流明表示）时使用。;§ 2.3.1 光电探测器的性能参数;或称最小可探测功率Pmin。它定义为探测器输出的信号功率与噪声功率之比为1时所需的入射到探测器上的辐射通量（单位为瓦），即;9．探测率D与比探测率D* ;“D值大的探测器其探测能力一定好”的结论并不充分。;归一化探测度 ;10．噪声等效带宽 ;噪声带宽可表示为：;12．量子效率 ;每秒产生的光电子数;13．线性度 ;§ 2.3.1 光电探测器的性能参数;§ 2.3.2 光电探测器的噪声;§ 2.3.2 光电探测器的噪声;§ 2.3.2 光电探测器的噪声;§ 2.3.2 光电探测器的噪声;§ 2.3.2 光电探测器的噪声;§ 2.3.2