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6制备P型非晶硅薄膜及多晶硅薄膜 武汉理工大学 硕士学位论文 PECVD法制备P型非晶硅薄膜及多晶硅薄膜 姓名：沈峰 申请学位级别：硕士 专业：材料物理化学 指导教师：赵修建;夏冬林 摘要 硅薄膜太阳能电池相对于单晶硅和多晶硅太阳能电池而言，具有所消耗硅材料少，成本低的特点，尤其是廉价衬底的引入，使硅基薄膜太阳能电池在成本控制方面具有更强的市场竞争力。非晶硅薄膜太阳能电池是目前光伏市场研究热点，多晶硅薄膜以其优异的光电性能和较低的制备成本在能源信息工业中，日益成为～种非常重要的电子材料，被广泛应用于大规模集成电路和半导体分立器件。高效、稳定、廉价的多晶硅薄膜太阳电池有可能替代非晶硅薄膜太阳电池成为新一代无污染民用太阳能电池。 采用等离子增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）技术，在普通玻璃衬底上以ＳｉＨ４和Ｂ２Ｈ６为气源制备出均匀的硼掺杂Ｐ型非晶硅薄膜，利用ＮＫＤ系统、Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、扫描电子显微镜（ＳＥＭ）等手段系统研究了不同反应气体浓度、辉光功率和衬底温度对制备硅薄膜沉积速率和光电特性的影响，并从机理层面给出了解释。实验结果表明，射频功率增加时，非晶硅薄膜沉积速率增加；硼的掺入对薄膜的生长速率有影响，当硼烷浓度达到１．Ｏ％时，薄膜的生长速率最大，达到３．３ｒｉｍ／ｒａｉｎ；随着衬底温度的升高，非晶硅薄膜的生长速率增大。掺硼的Ｐ型非晶硅薄膜较本征非晶硅薄膜的光吸收系数下降一个数量级，光学禁带宽度约１．６０ｅＶ左右，电导率约为１０一Ｓ／ｃｍ；以Ｓｉｌｌ４、Ｂ２Ｈ６和ＣＨ４混合气体为气源制备Ｐ型ａ－ＳｉＣ：Ｈ窗口层材料，薄膜光学带隙达到２．０ｅＶ左右，电导率为１０～Ｓ／ｃｍ。 采用等离子增强化学气相沉积ＰＥＣＶＤ法，在玻璃衬底上以ＳｉＣｌ４／Ｈ２为反应气体在低温条件下制备出多晶硅薄膜。利用ＮＫＤ系统、扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、拉曼光谱（Ｒａｍａｎ）等手段系统研究了不同反应功率、反应压力、气体流量、基片温度等工艺条件下制备多晶硅薄膜的晶化与光学性质。实验结果表明，在适当大小沉积功率０００Ｗ）、适当ＳｉＣｈ反应浓度（３５％）以及适当反应压强（８０Ｐａ）条件下制备的多晶硅薄膜具有较好晶化程度，且晶化程度随反应温度上升而提高。此外，适当减小反应气体量与反应室容积比例，可以使薄膜晶化率有所提高，且在沉积功率较大时更为显著。本实验条件下薄膜晶化率最高达到８０％，平均晶粒尺寸２００ｎｍ以上，沉积速率最大为７．５ｎｍ／ｍｉｎ。所制备的多晶硅薄膜光吸收系数约在５ｘ１０４ｃｍ＂１左右，光学带宽约１．５ｅＶ，二者均随薄膜晶化程度的提高有所下降。关键词：等离子体增强化学气相沉积，硼掺杂非晶硅，ＳＩＣｌ４，多晶硅薄膜 Ａｂｓｔｒａｃｔ Ｃｏｍｐａｒｅｄｗｉｔｈｃｒｙｓｔａｌｓｉｌｉｃｏｎｓｏｌａｒｃｅｌｌｓａｎｄｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎｓｏｌａｒｃｅｌｌｓ，ｔｈｅｓｉｌｉｃｏｎ－ｂａｓｅｄｆｉｌｍｓｏｌａｒｃｅｌｌｓｃｏｎｓｕｍｅｌｅｓｓｓｉｌｉｃｏｎｍａｔｅｒｉａｌｓａｎｄｔｈｅｃｏｓｔｉｓｍｕｃｈｌｏｗｅｒ，ｅｓｐｅｃｉａｌｌｙ，ｔｈｅａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｏｆｌｏｗ－ｃｏｓｔｓｕｂｓｔｒａｔｃｓｍａｋｅｓｉｔｍｏｒｅｃｏｍｐｅｔｉｔｉｖｅｉｎｃｏｓｔ－ｃｏｎｔｒ０１．Ｐｒｅｓｅｎｔｌｙ，ａｍｏｒｐｈｏｕｓｓｉｌｉｃｏｎｔｈｉｎｆｉｌｍｓｏｌａｒｃｅｌｌｓａｒｅｐｏｐｕｌａｒｉｎｔｈｅｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌｍａｒｋｅｔ．Ａｓａｌｌｉｍｐｏｒｔａｎｔｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｍａｔｅｒｉａｌｉｎｅｎｅｒｇｙ－ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎｉｎｄｕｓｔｒｙ，ｐｏｌｙ－ｓｉｌｉｃｏｎｔｈｉｎｆｉｌｍｓａｒｅｗｉｄｅｌｙ ｄｅｖｉｃｅｓｂｅｃａｕｓｅｏｆｉｔｓｅｘｃｅｌｌｅｎｔｕｓｅｄｉｎＬＳＩａｎｄｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｄｉｓｃｒｅｔｅｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｉｃａｎｄＩｏｗ－ｃｏｓｔｏｆｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ．Ｐｏｌｙ－ｓｉｌｉｃｏｎｍｉｎｆｉｌｍｓｏｌａｒｃｅｌｌｓｗｉｔｈｈｉｇｌｌｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ，ｓｔａｂｉｌｉｔｙａｎｄ ｔｈｉｎｆｌｍｌｏｗ—ｃｏｓｔｗｏｕｌｄｒｅｐｌａｃｅｔｈｅａ－Ｓｉ ｎｏｎ－ｐｏｌｌｕｔｉｏｎｃｉｖｉｌｓｏｌａｒｃｅｌｌｓ．ｓｏｌａｒｃｅｌｌｓａｓａｎｅｗｇｅｎｅｒａｔｉｏｎｏｆ Ｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ，ｃｏｍｍｏｎｇｌａｓｓｗａｓｔｏｏｋａｓｓｕｂｓｔｒａｔｅ，ｔｈｅｎｂｏｒｏｎ—ｄｏｐｅｄａｍｏｒｐｈｏｕｓｓｉｌｉｃｏｎｆｉｌｍｓｆａｂｒｉｃａｔｅｄｂｙｕｓｉｎｇＳｉＨ４／Ｂ２Ｈ６硒ｇａｓ ｖａｐｏｒｒｅｓｏｕｒｃｅｗｅｒｅｐｒｅｐ